UNIVERSUMS
HISTORIA |
PemEappNCHfuseBox | Elektronikens grunder | 2012V7 a BellDHARMA production | Senast uppdaterade version: 2023-05-19 · Universums Historia
innehåll
denna sida · webbSÖK äMNESORD på
denna sida Ctrl+F · sök ämnesord överallt i SAKREGISTER · förteckning över alla webbsidor
Bildkälla: Författarens arkiv · MONTAGE: 11Jun2013 E12
Bild 105 — 20Aug2013 E25 Bild84 · Nikon D90 -- PRAKTISK ELEKTROMEKANIK —
finmekanik för hobby och amatörer — HUVUDDOKUMENT MED ÄMNESORIENTERING
sök ämnesord överallt inom ELEKTRONIKEN i separat sakregister för
Praktisk Elektromekanik i sakregister elektroniken
Gammaprojektets alla dokument — Maj2012-Jul2016 |
NCH-Fusebox — Nov2010 | TYRISTORbaserad
ELEKTRONISK SÄKRING | NANDbaserad
ELEKTRONISK SÄKRING | JFET-NANDbaserad ELEKTRONISK SÄKRING | Överbelastningsskydd
|
Sep2016:
Det här dokumentet innehöll från början 2012 bara en NCH-Fusebox — Nov2010.
Med
utvecklingen av Gammaprojektet har flera kretslösningar, utvecklingar och
metoder kommit i dagen som visat sig användbara, inte minst i ämnet
skyddskretsar. Här beskrivs några av de praktiskt uppnådda resultaten.
Elektronikgrunderna — APPLIKATIONER — Referenser | Projekt — till
grundbegreppen inom analog och digital elektronik
ENKLA
AUTOMATISKA ELEKTRONISKA
STRÖMSÄKRINGAR
Kol1 |
Kol2 |
Kol3 |
|
|
|
Kol1 |
Kol2 |
Kol3 |
Länktexterna
ovan, från vänster till höger:
Kol1--1[Tyristor-trig]
2[TyristorTrigSCH] 3[AC-OP-bas] 4[Impulsrelä1] Kol2--1[Impulsrelä2]
2[MotordrivSCH]
3[AC-säkringen] 4[NchFB-nov2010] Kol3--1[AC-Pot-Skala] 2[Tyristor-trig] 3[NPN-trig-GATE] 4[JFET-trig-GATE]
Länkavsnitten
ovan med artikelns centrala kretslösningsdetalj:
Tyristortriggad |
OP-triggad |
Motordrivningen |
JFET-triggad |
OP-triggad |
Tyristortriggad |
NPN-triggad |
JFET-triggad |
Med hjälp av Lilla Kopplingsdäcket
kan flera olika enkla experimentblock byggas snabbt och enkelt.
Experimentblocken hjälper oss i detta fall att få fram effektiva strömsäkringar
i elektroniklaborerandet — speciellt i samband med batterier som strömkällor.
Ett batteri kan inte stängas av. Och en (oavsiktlig) kortslutning kan
leda till vådliga konsekvenser. Dessutom behöver vi, från och till, säkra
komponenterna under experimenterandet från just oavsiktliga kortslutningar —
sådant händer också ibland, från och till. Utan ett strömskydd ryker,
bokstavligt talat då och då, en eller annan komponent.
NOTERA för Lilla kopplingsdäcket:
— Kontaktresistanserna (verkar ha
förbättrats med senare partier) är relativt höga — »i allmänhet» upp mot
100mΩ — och kan dessutom variera betydligt — grovt (20-200)mΩ.
— I applikationer med höga resistanser har det
ingen betydelse. Däremot om man vill mäta över små resistanser (typ 0,1Ω)
visar sig oacceptabla avvikelser. Här används »generellt» lägst 1Ω i
strömtesterna, samt att strömmarna till/från lilla kopplingsdäcket (därmed)
begränsas (teoretiskt, kontinuerligt) till max 1A.
Det
finns enkla metoder att förbättra/reducera kontaktresistanserna på lilla
kopplingsdäcket, om nöden kräver. Se särskild beskrivning i AUX Special.
Nedan följer några inledande
enklare, praktiskt testade och utprovade lösningar.
Batteridrivna konstruktioner — µA
egenförbrukning — med BytBatteriIndikator:
Tyristorbaserad NCH-NPN FuseBox | Tyristorbaserad
NCH-FuseBox | CMOS-NANDbaserad NCH-FuseBox |
JFET-CMOS-NANDbaserad
NCH-FuseBox | AC-DC-FuseBox
Kopplingsschema — funktion, förklaring --
KRETSSCHEMA — praktiskt utförande
NchFB-NPN-TYR — MosFet N-kanals Strömsäkring med Bipolär
NPN-transistor + Tyristor
SPECIELLT I BATTERIAPPLIKATIONER -- ett
batteri kan aldrig stängas av:
——————————————————————————
Strömsäkringen: Generellt den
allra mest viktiga enheten i all experimentell (och stationär) elektronik.
Många (otaliga) lösningar finns. Här
studerar vi den (kanske) allra enklaste — som kan kopplas upp direkt på Lilla Kopplingsdäcket med vanliga hålkomponenter.
Elektroniskt
KORTSLUTNINGSSKYDD — NPN-TyrNchFB —
elektronisk strömsäkring
NPN-Tyristorbaserad NCH MOSFET FuseBox
Alla komponenter finns på
ElectroKit och/eller Kjell&Company (2016)
—————————————————————————————
KRETSBLOCKET I BILD NEDAN
BESKRIVS UTFÖRLIGT I HUVUDTEXTEN.
EXPERIMENTPROJEKTET —
TESTKOPPLINGSBLOCK
Foto:
18Mar2016 AutoFuse 3
Viktigaste komponenten — strömsäkringen
SPECIELLT MED DE KONVENTIONELLA
KOPPLINGSDÄCKEN — insatta komponentben låser mekaniskt i EN
punkt vilket betyder att KOMPONENTEN SITTER OCH VICKAR mer av regel än undantag
— ställs HÖGA krav på säkra isoleringar i experimentkopplingarna.
— VILKET INTE ALLTID HÅLLER.
Ibland
inträffar oavsiktliga beröringar som leder till kortslutningar. Och därmed, kanske, onödigtvis förstörda
komponenter. Eller i värsta fall — ännu värre.
Kopplingsdäck med TVÅ monteringspunkter lider inte av den typen av äventyr, se vidare i KOPPLINGSDÄCK, Kopplingstyper. ett (3mM plast-) hylsavsnitt för införing, ett avsnitt (3mM) för kontakt.
De kopplingsdäck som finns att köpa har alldeles för litet avstånd (1mM) mellan plastdel och kontaktbleckdel. För att öka säkerheten (och reducera haverierna) måste motsvarande säkerhetskretsar finnas som hjälper till om olyckan är framme.
Strömsäkring för
användning med SMPS-enheter AC/DC —
likspänningsutgångar endast
STRÖMSÄKRINGEN, KRETSSCHEMAT
Efter tester och utprovningar
Mar2016 — testkopplingen med aktuella komponenter (18Mar2016)
(ref.DSO7.PNG)
KOPPLINGSSCHEMA
NchNPNtyrFB 2016: — Kretskopplingar på LILLA
KOPPLINGSDÄCKET
Återfjädringsfunktionen för OnOff-switchen, se nedan i Funktion.
STRÖMSÄKRINGEN med ovanstående testade komponenter
UTLÖSER MED Rs (Sensor/StrömResistansen) inställd på önskad max ström i enligt
Rs = 0,63V/i
Med RsMax20Ω är minsta inställbara strömsäkringsläget lika med
iMIN = 0,63V/20Ω
= 0,0315A
= 31,5mA
I funktionstestet har använts
ett fast belastningsmotstånd (100Ω som här,
komponenterna ovan, betyder runt 85mA i fast ström).
Rs-potentiometerratten vrids sedan, sakta, inom tiotals sekunder, upp från noll
mot max, vilket ger en växande spänning över det växande Rs-motståndet. Det
motsvarar samma funktion som att ett fast Rs avkänner allt högre ström I(Rs) =
U(Rs)/Rs. Vid strömgränsen — när Rs-spänningen uppnår 0V63 — stängs
U0-matningen ner hastigt och tvärt. Genom att avstängningen triggat en tyristor
(T3) som garanterar att off-läget kvarstår, måste tyristorn stängas av
(RESET-switchen) innan ON-läge kan komma ifråga: U0-matningen kommer i ON-läge
igen ENDAST om Rs-spänningen ligger under tröskelvärdet 0V63, analogt med fast
testmotstånd, att Rs-värdet ligger lägre än stoppvärdet.
ONoff-Switchen — ÅTERFJÄDRANDE
ON-stopp:
Med den lilla ytterst användbara
och tåliga SubMiniatyrMikroströmställaren (3A/125VAC,
finns bl.a. på Kjell&Company) — vrid de tre benen först 90° med plattång så att dessa smiter in lätt i kopplingsdäckets kontaktbleck:
— Flera olika sätt finns att
skapa en enkel FAST On-Off från strömställarens egen momentana återfjädrande
icke fast växlande funktion:
— Som ovan: 7cM Ø0,7mM transformatortråd böjs till ovanstående
symmetriska profil och sticks ner i de bägge hålen precis framför switchen (klipp av ändarna nederst i slutjusteringen för att få
noggrann passning). Mittböjen som pekar neråt switchens hävarm ska
precis passa som hakspärr när switchens hävarm pressas ner: trådprofilen
fjädrar då framåt och hävarmen ligger säkert låst. En lätt puff bakåt på
trådprofilen snärtar hävarmen åter tillbaka i uppläget.
Funktionen med denna trådböjlösning har visat sig ytterst
förnämlig — On-Off-lägena kan fås att fungera inom 1mM i slaglängd hos
trådprofilen (tunnare tråd, mindre styvhet).
NOTERA:
— Otaliga ALTERNATIVA komponentKombinationer finns (alla fungerar) med olika transistortyper, motstånd och Cbk-värden:
— Höga Rb (1K/10K) saboterar den distinkta PowerOFF-funktionen, och ger istället frånsett snabba stötströmsändringar en motsvarande KONTINUERLIG STRÖMBEGRÄNSANDE FUNKTION SOM ALDRIG RIKTIGT STÄNGER AV ANSLUTNINGEN.
— Ändring av R-värdena påverkar:
Exempel:
— Samma komponenter som ovan men med Rg = 10K: Triggnivån ändras från 0V63 till 1V0.
Generellt gynnas en maximalt snabb avstängning vid uppnådd max ström då Rb är lågt och Cbk högt, som ovan resp. 100Ω och 10µF.
ANLEDNINGEN:
— KRYPSTRÖMMAR flyter hela tiden genom Tyristorn (EC103A, eller motsvarande ekvivalent), och därmed genom T2, och därmed en viss reduktion = strypning av T1;
— OM den krypströmmens INVERKAN kan reduceras kraftigt — vilket garanteras av lågt Rb (basspänningen hålls nere så långt möjligt tills tillräckligt strömdrag uppkommer) och högt Cbk (så lång fördröjning som möjligt för basspänningen till T2) — kommer inverkan på T1 att i stort bli försumbar: övergången ON-off kan ske inom huvudströmmens ental eller bråkdelar av mA.
Med komponenterna ovan drar Off-LED:en max ström vid OFF-läget med UinMAX=24V lika med
i = (24V–2,5V–0,7V=20,8V)/1K1 =~ 18,9mA.
Foto: 18Mar2016 AutoFuse 3
Bilden ovan visar experimentanordningen uppkopplad på Lilla Kopplingsdäcket.
— Vänster (bakre), 2st 10mM Aluminiumfyrkantrör (en för PLUS och en för GND) med upptagna Ø1,4mM borrade hål för KontaktHylsor som sedan pressats i och tjänstgör som aktuella kontaktportar för användning.
Foto:
18Mar2016 AutoFuse 5
— Vänster (främre, bilden närmast ovan sett ovanifrån), en effektpotentiometer (ofta »Reostat») på 20Ω 4W som fanns en gång i tiden på Clas Ohlson — här inbyggd i en plexiglashållare med separat konstruerad OHM-skala 0-20 (300°).
— Mitten, aktuella Strömsäkringen med Switcharna.
— Höger (bakre), TermoSäkringen/ALLMÄNNA ÖVERBELASTNINGSSKYDDET (se nedan).
— Höger (främre), KONTAKTBLOCK som passar SMPS-enheternas anslutningskablage. Här ett litet rektangulärt träblock (änddel i hyvlat finvirke) borrat med borrarna Ø8;8,5;9;9,5;10mM passande den aktuella TIP-adaptern vid ingången (höger) och en lämpligt vald make på utgången — respektive här konstruerade så att vardera skjuts in från sin block ände så att ingen av dem kan skjutas igenom. Träblocklet har sedan limmats på (FotoLim) med rutat papper och försetts med lämplig text.
ALLA KOPPLINGSBLOCKEN OVAN
MONTERADE MED DUBBELHÄFTANDE TEJP (KUDDAR) PÅ UNDERLIGGANDE KRETSKORTSLAMINAT (här dubbelsidigt fotoresistlaminat belagt med
ljusisolerande blå vinyl); i ena hörnet har skyddsvinylen skurits
upp och ett Ø2mM-hål tagits upp, och försetts med M2-skruv och mutter med
ANSLUTEN JORDLEDNING till hela anordningens GND — slutligen med utfyllande 2mM
vit kartong (passepartout) underst så att M2-skruven går fri.
Att användas ALLTID i samband med
SMPS-försörjningar OCH SPECIELLT
TESTKOPPLINGAR SOM ANVÄNDER LILLA
KOPPLINGSDÄCKET (vingliga komponentben
som INTE hålls fast rakt av den enkla men delvis äventyrliga produkten — och
därför löper relativt stora risker att förorsaka oavsiktliga icke önskade
kontakter med följd i rykande effekter om man händelsevis råkar NYSA kraftigt,
eller så .. ).
FINNS DET INGET ALTERNATIV TILL OVANSTÅENDE strömsäkring MED DEN RELATIVT STORA ReostatResistansen
(0-20Ω) som måste ändras för aktuell strömgräns?
— Strömkällan tappar minst
0V63 bara för själva mätningen. Går det inte att få en lägre spänningsförlust —
typ 0,1Volt?
Till en början:
— Jodå. MEN INTE MED LILLA KOPPLINGSDÄCKETS HJÄLP:
Lilla kopplingsdäckets kontaktresistanser ligger i storleksordningen 0,1Ω (varierar i stort 20-200 mΩ — också beroende på parti och fabrikör) — vilket är den avkänningsresistans vi (lägst) KAN använda i en alternativ kretslösning (med LM324):
— Vi behöver ett helt annat kopplingsdäck om högre noggrannhet önskas (helst kontaktresistanser runt max 0,001Ω).
Sedan mera utvecklat:
— Jodå.
GENOM SPECIELLA GREPP kan även lilla kopplingsdäckets relativt höga kontaktresistanser ELIMINERAS IN SITU — på aktuell kopplingsled:
— ”Hemligheten” är specialkombinerade punktkopplingar: enkla, snabba, säkra konstruktioner med TAJT SMAL PASSNING: delvis tillplattade trådändar från vanlig kopplingstråd, och SÅ tajt i passning att ordinarie (smala) komponentens tilledningsben kan samsas med tillägget utan att förstöra eller vandalisera själva kopplingsdäckets normala funktion — och därigenom (särskilda test, Se Kontaktresistansmätning) skapa direktkontakt till typ ett transistorben med kontaktresistanser just i storleksordningen 0,001Ω — eller t.o.m. bättre.
Se ett speciellt praktiskt testat exempel i AUX Special, delbilden ovan.
Alla nedan är praktiskt testade fungerande kretsblock som kan
anpassas på samma sätt, i princip tillsammans med lilla kopplingsdäcket:
Strömsäkring
SMPS AC/AC — 8Apr2016
UTVECKLINGSPROJEKT — FRÅN ETT KOMPLICERAT UTKAST TILL EN ENKEL LÖSNING
Del I (vidareutvecklad i Del II):
Strömsäkring för SMPS-enheter
med växelspänningsutgång
SMPS — eng. Switched Mode Power Supply — »switchad strömförsörjning»
STRÖMKÄLLAN TILL NEDANSTÅENDE TESTKOPPLINGAR är (Kjell&Company 2016) Vellemans SMPS PSU10AC med en omkopplingsbar växelspänningsutgång 9/12/18/24 Volt AC.
Strömsäkringsenheten för
SMPS-enheter med DC-utgång finns exemplifierad i Strömsäkring
SMPS-DC. Se även (digitaloscilloskop) MätExempelSMPS.
SMPS-enheter
med AC-utgång — se SMPS-transienterna
som hindrar reguljär SMPS-försörjning för mera noggranna
instrumentapplikationer — har också viss användbarhet — för grovtest. Men
utformningen av en ÖVERGRIPANDE strömsäkring blir mera knepig:
Direkt AC-strömmätning i
området millivolt är komplicerad (True RMS):
»Sinuskurvorna»
i AC-delen varierar hela tiden beroende på belastning = strömdrag och sekundär
AC-spänning.
—
Inga direkt enkla algoritmer finns för att ur de variationerna få fram
motsvarande SÄKRA strömdata.
Rödkurvorna ovan från DSO-oscillogram
(digitaloscilloskop, mätpunkt A
nedan i AC-toppspänningsmätare)
på ett variabelt AC-SMPS-aggregat inställt på 9V AC och med olika belastningar;
—
Vänster, även nedan: Rload
=100Ω Vert50mV/DIV Horiz5mS/DIV;
—
Höger, även nedan: Rload =
10Ω Vert200mV/DIV Horiz5mS/DIV; R-lasten efter
likriktningen.
MATEMATIKEN
UTPEKAR att sanna strömvärdet (använd energi = Effekt×Tid) är direkt
proportionell mot TIDEN (gånger amplituden) som ström/spänningsvärdet befinner
sig ovan/nedan noll-linjen. Exemplen ovan (Höger: hög ström; Vänster: låg
ström) exemplifierar principen: Genom att räkna pixelrutor i amplitudytorna
från digitaloscilloskopets oscillogram och jämföra med en fast (kvadratisk)
enhet, ges en hyfsad uppfattning om det relativa strömvärdets magnitud. Någon
direkt ENKEL elektronik för att få fram en sådan värdeform finns dock här
veterligt inte (Jämför Wikipedia på True RMS-converter).
ENDA GEMENSAMMA HÅLLPUNKTEN för samtliga fall
— sekundära transformatorspolar — är att spänningsToppvärdet (gen.: maxAC-värdet = minsta belastningen = AC-värdet
gånger √2; minAC-värdet = maxbelastningen = AC-värdet) ALLTID
avtar med växande strömtryck: låga mätvärden = höga strömmar; höga mätvärden =
låga strömmar. DÄREMOT STRÖMVÄRDET: Mätning via i=U/R(fast mätmotstånd) ger ALLTID
högre U-värde för en mera strömbelastad kraftlinje — vårt aktuella mätfall; i
är direkt proportionell mot U med ac-spänningsformens komplikationer: Ju
högre mätvärde, dess högre strömtryck.
— Vår uppgift: mätning och
aktion ska ske över ett 0,1Ω motstånd (MP930 30W/1%/TO-220-kapsel) för
att säkra minsta möjliga förluster i ordinarie huvudledning (max 3A).
Se f.ö. testet ovan (SMPSdcSymTest) på undersökning av
seriekopplade DC-SMPS-enheter:
Tanken att få symmetriska ±-matningar från SMPS med DC-utgång stöter på
patrull. Hur ter sig den saken med en AC-SMPS-enhet (typ Kjell&Company
[2016] Velleman PSU10AC 9/12/15/18/24
V)?
EN ENDA SEKUNDÄRUTGÅNG
(motsvarande en sekundär linjär transformatorspole) räcker inte i sig för att
få fram helvågslikriktade symmetriska utgångslinjer (se Halvvågslikriktning).
Däremot kan symmetriska
±-utgångar fås från en singulär transformatorspole med hjälp av fyra extra
dioder och två extra kondensatorer (Se Helvågslikriktad
laddningspump).
Vi studerar ett sätt — delvis utmanande
— att realisera en strömsäkring kopplad till en (AC-SMPS-matad)
transformatorspole enligt kretsschemat nedan.
Funktion
(bästa lösningen efter flera olika separata försök med olika kretslösningar):
—
En separat ±9V batterimatad OP-kapsel LP324 mäter (OP1) halvågs-AC-toppspänningen över ett 0,1Ω motstånd (mätpunkt
A). En OP-komparator (OP2) jämför mätspänningen med spänningen på en
Lagrings-(HOLD)-kondensator:
—
OP2 (mätpunkt D) går från 1
(+9V–1V5) till 0 (–9V) då ett AC-toppvärde framträder (reaktion inom tiotal
mikrosekunder); OP2-nollningen betyder att SwitchCap:en (68p) tillsammans med
återledningsSwitchdioden (1N4148) alstrar en kort ledningspuls hos PNP
Sample-Transistorn (här BC556B eller motsvarande): när transistorn leder förs
AC-nivån över till HållKondensatorn (här 1µ —
utprovat efter läckström: olika typer visar olika fasoner, bara direkta test
kan avgöra minsta möjliga spänningsfall under längsta möjliga tid: hålltiderna
här i runda tal kring tiotal mV per sekund).
—
OP3 förstärker (för test) den uppsamlade AC-nivån
10ggr (mätpunkt E).
—
Sista OP:n kan sedan (ej utritat) användas som komparator tillsammans med en
potentiometer för att ge aktionssignal till (typ) en optokopplare (PC817).
—
STRÖMFÖRBRUKNINGSMÄTNING för hela toppspänningskretsen visar på 70µA — vilket
betyder att den batterimatningen VÄL är realistisk i det långa loppet.
Kontinuerligt, med 500mAh för ett 9V-batteri, betyder det antal drifttimmar
drygt 7100, eller 296 dygn. I laboratoriesammanhang används apparaturen enbart vid
laborationer: batterierna kommer att läcka ut innan de används ut. Alternativet
till batteriförsörjningen är en separat transformator.
—
KOPPLINGSDÄCKET FÖR DETTA FALL är INTE Lilla
Kopplingsdäcket, utan istället de större kopplingsdäckens
mera robusta typ: kontaktresistanser i området ental milliohm.
STRÖMSÄKRINGSDETALJ
AC-toppspänningsmätare —
ett första praktiskt testförsök
TESTKOPPLINGEN OVAN PÅ EN AV ELFA-SORTIMENTETS (2016) KOPPLINGSDÄCK
—
Det kopplingsdäcket (nedan) visar betydligt mera tajt kontaktresistans
[2mΩ] än Lilla
Kopplingsdäcket [20-150mΩ].
—
Men också extremt HÅRDA kontaktbleck = lätt att demolera något om man missar en
montering/demontering på grund av en osedvanligt stor
inpressnings-uttagningsKraft: komponenten åker PLÖTSLIGT i/ur (med all inlagd
kraft):
—
Använd/snabbuppfinn mothåll av någon form.
Foto:
8Apr2016 MotorSwitch 1
— Rload OnOFF sker här manuellt med
MikroSwitchen bakom den blå axiella 1000µF/40V-PhilipsKondensatorn överst
höger.
— Rload-komponenten placerad närmast
framför.
— Bilden nedan samma koppling
som ovan men efter städning och rensning
av ledningsdragningen:
Foto:
26Aug2016 FBacDC--6
PROBLEMNÖTTERNA som skulle lösas
GENERELLT för den ovanstående kretstypen:
1. Separat
oberoende DC-matning till säkringskretsen;
Lösning:
—
OP-kapseln LP324 har låg strömförbrukning. Och testen visade att den väl klarar
uppgiften: Strömförbrukningen totalt endast 70µA.
—
Annars är/blir batterimatningar problematiska då strömförbrukningen börja krypa
upp mot 1-10mA. Med standard kapacitet 500mAh för 9V-batterier betyder det
(10mA) inte mer än 50 effektiva labbtimmar. Det går fort. Jämför drygt 7 tusen
labbtimmar med 70µA. Vi hinner dö ihjäl (flera gånger om) — innan, med idealt
noll batteriläckström.
2. Ingen direkt
strömmätning är möjlig (True-RMS), endast en relativ sådan;
Lösning:
—
Kalibrering (OP4, den sista OP:n) kan ske RELATIVT: Man får helt enkelt göra en
provmätning (för en viss belastning) vid en viss vald (9-24VAC) sekundär
AC-spänning: kalibreringspotentiometern [0-100%] vrids upp tills indikering
sker. Därmed är strömgränsen bestämd (och närliggande värden kan hoftas med god
noggrannhet).
Mera omständligt kan en mera noggrann
POTENTIOMETERSKALA konstrueras så, genom R-prövning och/eller grafanalys, för
varje område 9/12/15/18/24 VAC, och på den vägen få fram en tämligen exakt
potentiometerskala för samtliga strömfall.
3. Elektroniska
UTLÖSNINGSMEKANISMEN — måste också vara DC-styrd;
Lösning:
— Särskilt för den återstående
OP4:
OP4 som ovan kan kopplas som komparator (Problemet med Referensspänning inte löst) med
utgången till en PC817-diod. OptoDiodens OptoTransistorMake kan sedan utföra
den aktuella PowerOFF-funktionen — i vilket som helst lösningsfall.
— Men hur får vi fram en REFERENSSPÄNNING
till potentiometern — utan strömkrävande anordningar .. ?
— EN lågeffekts-lösning visas i Spänningsreferens 5V000 [kräver endast 11µA extra — inkl. LED-indikering].
MEN NÖDEN KRÄVER INTE EN VIDARE DJUPDYKNING I DESSA
PROBLEMNÖTTER:
— En betydligt enklare
helhetslösning för hela AC-säkringsblocket visas i JfetBASERAD
ELEKTRONISK AC-SÄKRING — ingen OP finns med. Där visas också
en +5V lågströmsregulator som kräver endast 1,7µA i egenström; se
kopplingsschemat i JfetACfbKoplSch.
SpecialLösningar ...
MEN:
DET var också Problemet:
—
OM utlösningsmekanismen skulle sitta på sekundärspolens sida, alltså FÖRE
likriktning
—
Men varför inte sätta strömsäkringsutlösningen (LineOFF) efter likriktningen?
—
Symmetriska
utgångar kräver i så fall TVÅ strömsäkringar, en för varje
linje — eller så många linjer som vi vill bygga på den aktuella sekundärspolens
kredit. Det blir besvärligt som Övergripande Elektronisk AutoSäkring..
är
det bara TYRISTORSTYRNING (likriktningsprinciper, Triac:s) som kan komma i
fråga för den typen av kretsmatning till en motsvarande OFF-funktion.
VÄNSTER Utkast till
HÖGER : Aktuell praktiskt testad
lösning till
Indikatorlösning för OnOff-Switch till Singulär Transformatorspole
före likriktning.
FUNKTION:
— Röd/Gul/Orange lysdiod tänds,
och den blå släcks, då switchkontakten sätts i läge Off (manuellt eller
elektromekaniskt).
Förklaring:
Notera användningen av lysdioder
(de nyare ultraskarpa typerna, här Ø3mM RödGrönBlå):
— Max backspänning (VRRM) är enligt datablad 5Volt. Användningen
tillsammans med SMPS
AC/AC-enheter, här 9-24VAC (18-48VDC max
toppspänning) kräver spärrande backdioder med motsvarande
DC-tålighet. Här räcker INTE den vanliga snabba (4nS) switchdioden 1N4148 med
max 75V backspänningstålighet från Philips epoken 1990 — se Philips Data i praktiskt Exempel.
ETT IMPULSRELÄ SKULLE LÖSA MYCKET
—————————————————————
— Men hur verkställs, då,
mekanismen för OFF — utan att använda hutlösa strömförbrukande RELÄER?
JÄMFÖR StrömSlösaSCENARIOT:
— 24 VAC ger i
tomgång en toppspänning på max runt drygt 30 Volt. OM Mekanismen ska skötas av
ett 6V-relä (som kan hantera kontaktströmmar i området ampere) — det ska också
fungera med 9VAC-matning — måste en förlusteffekt I(Relä~100mA)·(30–6=24)V lika
med (P=0A1·24V=2W4) runt FLERA Watt medräknas; OM (då) reläet ska »stå och gå»
(flera minuter) utan en Reset måste en eller annan form av KYLNING anställas.
Det blir drygt, jobbigt, klumpigt.
Finns det ingen enklare lösning?
— Jo. Ett IMPULSRELÄ — som fanns
förr (epoken fram till och omkring 2000), men som numera verkar vara en utdöd
art. Se vidare nedan i huvudtexten.
Kretsbilden
ovan visar indikatordelen samt den avgörande on-OFF-switch som ska verkställa
AutomatSäkringen på spolsidan. Nedan i IMPULSRELÄ
visas ett fullständigt lösningssätt (Testat 2-8Apr2016).
Impulsreläet:
Kombinerat mekaniskt elektriskt
Impulsrelä — från en Likströms ModellMotor
Motorkretsarna Testade
2-8Apr2016
KOMBINERAD
MANUELL MEKANISK ELEKTRONISK SWITCH
—
elswitchen drar ström endast i tillslagstillfället (grovt~1A under 2mS — om
någonsin).
HOBBYTRONIK
har små 12V miniatyr-DC-motorer Ø10mM L12mM (f.n. Mar/Apr2016 »tillfälligt
slut»). Test på en av dessa visar exceptionell användbarhet som IMPULSRELÄ —
beroende på hur man utnyttjar monteringsmekaniken: Ytterst finstämda
inställningar kan göras med erhållen motorfunktion: en snabb strömpuls utför
vårt normala MEKANISKA manuella Off-arbete.
Foto: 8Apr2016 MotorSwitch 12
-- KRETSKONSTRUKTION PÅ LAMINATSPILLBIT — Se Kretsteknik.
— Motorns svarta anslutning
kopplad till V+ ger momentarmen vridrörelse mot låsfället.
FÖRUTSATT
att den påmonterade momentarmen
5mM Plexiglas ca 20mM lång: Ø1mM
hål för motoraxeln; Ø1,5mM tvärhål som M2-gängas för M2 stoppskruv
har
ett litet SPEL (1 cM) fram till Mikroswitchens låsfälle
(här den böjda Ø0,7mM
transformatortråden i bilden övre vänster — Se principen i MikroSwitchen)
— Så att momentarmen får FART
innan träffen
visar
experimenten med konstruktionen ovan att
DET RÄCKER MED 1 VOLTS MATNING för att »klappa tillbaka med motsvarande
manuell mekanisk kraft».
—
Momentarmen drar iväg och snärtar till switcharmens låsfälle så att
mikroswitchen fjädrar tillbaka upp i nolläge. 1 Volt.
—
Mera kraft behövs (4-6V) om momentarmen ska (börja från noll spel och) TRYCKA
tillbaka mikroswitchens låsfälle.
—
MEN MINIMOTORN ÄR (ännu så länge relativt) DYR (149:-/st).
Betydligt
billigare
([numera
runt 30:_/st; Kjell&Company kat. 2016 s342 art.36-206 DC-motor 1,5-3V]
och
mera kraftfulla, men också betydligt mera utrymmeskrävande [Ø24mM]) DC-motorer
finns, typ den nedan (här i ett parti Mabuchi3V/0A9 DC-modellmotorer med Ø2mM
axel från Clas-Ohlson-eran före 2000):
Impulsreläet, Maxi: Se även MINI-versionen ovan. Impulsreläets DC-motor:
Foto:
8Apr2016 MotorSwitch 6;10
— Samma låsfälle-konstruktion
som ovan (ImpulsreläMini) men med en betydligt
större DC-motor, här av typen 3V (1A).
— Testkretsen har här utformats
något annorlunda (mera avancerat) för direkta stötströmstest via separat
mikrobrytare (baksidan bilden ovan vänster); Denna har sedan ersatts med en
reguljär Power MOSFET-koppling. Se vidare i huvudtexten nedan.
— Mikroswitchens fjädrande
låsanordning kan utföras på flera (många) olika sätt, här den kanske enklaste
(böjd trådprofil).
Kretslösning
— första testet:
U = TI/C: Reaktionstiden för reläer (och DC-motorer) ligger
(enligt erfarenhet) runt och grovt i mS-regionen. 3V/3Ω3-motorn
(kontinuerlig drift) behöver runt 1 Ampere (0,9A) vid matningen 3Volt. Med en
fulladdad 1000µF-kondensator ger det ett spänningsfall U under T=1mS via I=1A
på U=TI/C=1Volt. Det är i stort omkring den aktuella DC-motorns fulla (kontinuerliga)
drivkrav.
Undersökande test:
Vi
undersöker först genom matning med olika spänningar från 0 Volt och uppåt (från
Labbaggregat) vid vilken minsta matningsspänning till StorKondensatorn
(1000µ/16V) som DC-motorn utför OFF-arbetet för mikroswitchens låsfälle.
UPPGIFTEN är att FÖRST ladda upp
1000µF-kondensatorn med Switchen öppen, sedan koppla bort matningen, och sedan
låta den upplagrade kondensatorladdningen sköta resten via Switchen i läge ON.
Efter
minimala justeringar finner vi svaret: Vid ca 3V med ovanstående 3Ω/3V
DC-modellmotor.
UPPGIFTEN i följd blir:
Konstruera motsvarande Elektroniskt styrda Switchfunktion: Håll alla kontaktresistanser
på ett minimum: Ersätt Switchen ovan med en Power MosFET: lägsta möjliga
R(DrainSource)on = i allmänhet högsta
möjliga transistoreffekt.
— ElectroKit saluför nya fina
speciellt fabricerade Switch-MOSFET:s (typ NCH:
STP60 och STP55) med låga GS-värden (transistorn
drar flera ampere redan vid GateSource-spänningar runt 3Volt: normala
Power MOSFETS kräver motsvarande minst ca 4V DS för att dra minst 1A).
MOSFET-Lösningen visas i bild och schema nedan. Se även i Konstruktionsdetaljer.
Foto: 8Apr2016 MotorSwitch 8
— Manuella Switchen ersatt av en
Power Mosfet STP60 NF06 L
— med speciell drivkrets: en
optokopplare (PC817) triggar ON-läget. Se nedan i huvudtexten.
Kretslösningen
— »Gate-Elevation», N-kanalsdrivning genom en
»GateHiss»:
NOTERA
DOCK DEN LÖSNINGENS RELATIVA BEGRÄNSNINGAR, vidare nedan.
Se även i Motorns
PULSTRANSIENTER
Utan den backspända skyddsdioden över Motorlinjen KAN (beroende
på amplituden i drivpulsen) en backspänningstransient (tidigare uppmätt i ett fall i andra tester) bli över 60 volt med ovanstående DC-motortyp. Det kan lätt
förstöra både den ena och den andra elektronikkomponenten utan avkoppling.
— Tillsammans med skyddsdioden fungerar 100n-kondensatorn och
100K-motståndet som extra skyddsbuffertar som kan släppa igenom = dämpa
eventuellt skadliga transientöverspänningar och dito elaka små störströmmar
(REGEL: Låt det ALLTID finnas minst EN fri flödesväg).
Funktion: — När OptoTransistorn PC817 leder (påtriggad av
OptoDioden via uppnådd strömgräns; se OP4 i PM3)
kortsluts matningen M+ med 100nF-kondensatorn: INNAN det tillfället har
100nF-kondensatorn M–-status på OptoTransistorns emittersida = 0 Volt: När
OptoTransistorn tänder, lyfts alltså den sidan upp till M+: Andra sidan på
100nF-kondensatorn BEFANN sig — emellertid — strax innan på nivån just M+ —
minus ett (1) diodframspänningsfall:
—
Så: När OptoTransistorn tänder lyfts hela MosfetGATE-sidan upp till
(M+)PLUS(M+)Minus1D = 2(M+)Minus1D: Spänningen GS räknat från Drainsidan (M+)
blir alltså (M+)Minus1D:
—
NCH- MosfetTransistorn STP60NF06L behöver runt, just, ca 3V mellan GS för att
kunna dra en Drainström på (minst) 1 Ampere; MOSFET:en tänder (snabbt) och går
i ON-läge: ström rusar från 1000µF-kondensatorn till 3V-motorn, och Kraftmoment
utbildas: den påskruvade/påskjutna momentarmen vrids, och Impulsreläet utför nu
sitt arbete — under runt max 1-2 mS. Inget mer.
GateElevationens relativa
begränsning
Backdioden
till 100n-ElevationsKondensatorn etablerar en DC-väg till NCH-transistorn: En
specifik SPÄNNINGSLÅSNING etableras som undertrycker variationer på
inspänningen (M+): NCH-transistorn leder från sin GateON-nivå (något olika för
olika NCH-typer) via 1N4148-Dioden, 1K och 220K-resistanserna: Ökar
inspänningen vid M+, tenderar också Gatespänningen att öka, vilket minskar
spänningsfallet Drain-Source, och därmed reducerat M+ (vi frånser motorn låga
egenresistans) — och därmed också Gate-Spource-drivspänningen:
TransistorKopplingen är delvis spänningsmässigt självjusterande (grovt och runt
3V beroende på NCH-typ); Test med förkopplingsmotstånd 10K till M+ från
SMNPS-AC-linjen visar att NCH-transistorn med kopplingsbilden ovan drar runt 1
mA — oberoende av Uz-värdet, se M+-matningen nedan; M+-spänningen kan inte
enkelt justeras.
För att få en mera reguljärt variabel
M+-nivå krävs en delvis annan lösning. Se vidare i KOPPLINGSSCHEMAT
till JfetAC-FuseBox.
SUPERSÄKER
LÅSFUNKTION
För
att förloppet ska KUNNA upprepas, måste obönhörligen OptoTransistorn SLUTA leda
= tillåta att triggKondensatorn på 100nF återtar en nolla på
OptokopplarTransistorns emittersida. Annars finns inte förutsättningen för att
starta NCH-Mosfet:en: Gatespänningen MÅSTE komma över M+-nivån.
—
Det kan tydligen bara ske genom att orsaken till »första släppet» upphävs:
huvudströmmen stängs av, så att också strömgränsens optotriggning upphör. Då
först kan förloppet upprepas.
M+-matningen
TestOK—11Apr2016
STRÖMKÄLLAN
som ska fylla på 1000µF-kondensatorn till motorströmmen (GateElevation) ska tas från SPMS
AC-sekundärspolsidan — som ovan enklast via en separat halvvågslikriktad
matningslinje.
Valet av Zenerdiod (3V-nivån) har testats
fram genom att pröva olika zenerspänningsvärden:
(här på en uppsättning
Zenerdioder från ELFA från
runt 2000 — nyare zenerdioder [2016, ElectroKit] tenderar att uppvisa
spänningar mera mot Uz via lägre strömmar, medan de äldre kryper ner mot 0 med
allt mindre strömmar)
Ökas
drivströmmen — 30K-resistansen görs mindre — kommer UZ-spänningen (3V) att öka,
liksom den också ökar med högre valt AC-område (9-24VAC). Endast aktuella
tester kan avgöra det aktuella fallet, och beroende på aktuella komponenter:
Högre matningsspänning medför kraftigare motordrivning, medan samma spänning
(3V) med högre zenerdiodGenomgångsström enbart påskyndar den efterföljande
1000µF-kondensatorns återuppladdning.
Slutligt funktionstest
Foto: 13Apr2016 Bild
MotorTest 3
Vridna anslutningsben till
mikroswitchen för att få passning i det lilla kopplingsdäcket.
— Motsvarande montering i HYLSKONTAKTER kräver antingen att anslutningsbenen slipas ner på bredsidan,
eller att man KRAFTDRIVER ner/ihop benen, successivt, försiktigt: plattång, i
SMÅ ½-mM-steg: benen förlängs som de avtar i diameter.
3V-DC-motorkopplingen med pulstransient:
STRÖMMEN
TILL OPTODIODEN simuleras i detta test med ett 9V-batteri (Blått i schemat
nedan) med ett 10K-motstånd kopplat till diodens anodsida: Strömmen blir
I
= U/R = (9–0,6)/10K = 0,84mA.
—
OptoTransistorn för PC817 (minCTR50% [CurrentTransferRatio]) ger då som lägst
0,42mA i full öppning. TestKopplingsSchemat som nedan med digitaloscilloskopets
oscillogram:
Mätpunkt A: Uz-Matningen från SMPS
(här 9VAC) till 3V-DC-motorn.
Mätpunkt B: Motorspänningen (topp 1V3) under
inkopplingstiden.
— Pulsbilden i B kan endast
upprepas EFTER det att batteriswitchen (Blått ovan vänster) släppts upp
(”ReSET”), så att OptoTransistorn PC817 kan stänga och därmed TriggKondensatorn
100n får 0V på sin nersida.
SOM VI SER använder motorn bara knappt 1
Volt (under knappt ½mS) för att utföra mekaniska arbetet att snäppa tillbaka
HuvudSwitchen i läge off (nederst i fotot ovan).
Ju mera känslig inställningen med låsfället
till HuvudSwitchen kan göras, desto mindre mekanisk kraft behöver motorn för
att utföra arbetet. Vilket som är vad, måste utformas genom (noggranna) test i
aktuell tillämpning.
▲ VGS-trösklar: PowerMOSFET-transistorn STP 60 NF06:
— ElectroKit saluför två versioner; Den ena utan suffix L (VGS ±20V) och den med suffix L (VGS ±15V).
— ALLTID måste vi (noga) se till att denna gräns inte
överskrids. Sker det = Ajö för den transistorn.
Behöver vi utföra
mekaniska moment på tilledningsbenen (böjning, klippning, filning, slipning, speciell
montering), används med fördel en av de hårfina tunna koppartrådarna i en
avklippt starkströmsledning: med MosFet:en instucken i ledande skumplast (under
momentet), vira in (med pincett) en Cu-tråd mellan benen så att alla kortsluts.
Sedan kan transistorn hanteras fritt som en NEUTRAL elektrisk komponent — utan
risk för elektrostatiska gate-överslag. (Glöm inte bort att ta bort
skyddstråden efter slutmonteringen ..).
Konstruktionsdetaljer till testkopplingarna med 3V-DC-motorn — Impulsreläet
Gulrektangeln
ovan vänster = manuella mikroswitchen i grundtestet.
—
Efterjustering med monteringsstödet via Ø6mM Cu-rör ger ovanstående dimensioner
med den givna Ø24mM (23,6mM) DC-motorn.
—
Kretskortet ÖVRE nedan med MOSFET:en
ersätter den manuella testformen:
—
Tilläggskortet snäpps in över det undre
givna via (Kontakthylsor)
5st kontaktpunkter.
För konstruktionsdetaljer till
kretskorten, se KRETSTEKNIK MED
KONTAKTHYLSOR om ej redan bekant: helt ets- och lödfria kretskonstruktioner
MED avancerade Nollplan.
Foto: 8Apr2016 MotorSwitch 8
— Motordrivningen ovan kan behöva utvecklas med något
annorlunda drivningar i det praktiska fallet:
Se en slutlig
praktisk lösning i JfetACfbKoplSch.
[JfetAC-FB]
— JfetFBac-22Aug2016
— JfetBASERAD ELEKTRONISK AC-SÄKRING — Del 2:
Se även första försöket i DEL 1.
Vidare från JfetFBdc
Kopplingsschemat, fullständigt till
testanordningen
Strömsäkring
för AC-SMPS-enheter
—
vidareutvecklad
Med utvecklingarna som ledde fram till
finns nu en betydligt mera smidig, enkel, galant
och fullständig lösning till hela AC-säkringsdelen STRÖMSÄKRING
AC för SMPS enligt schemat nedan:
AC-säkringen
Kopplingsschemat, fullständigt till
testanordningen
Kretsbilden ovan visar den mycket chockerande
enkla strömsäkringslösningen till den betydligt mera komplicerade ursprungliga
uppkopplingen i STRÖMSÄKRING AC för SMPS.
— JFET-transistorn (BF245A, alt, 2N5060
[ElectroKit 2016]) befriar oss ifrån hela det ursprungliga OP-paketet, och ger
oss direkt en möjlighet att bestämma strömgränsen via en enkel potentiometer
(Rp).
Grundformen i testuppkopplingen som nedan med kopplingsschemat som
ovan. En extra yttre mät-OP (CA3140) finns med som oscilloskopsensor för kontrollmätning.
KRETSKOPPLINGARNA, Lilla Kopplingsdäcket:
Foto:
26Aug2016 FBacDC--2
SMPS-matningen (Velleman PSU 10AC,
9-24VAC) från höger till R0-mätresistansen 0,1Ω (MP930, 30W) invid en likriktarbrygga
(W02— 1A5/200V) med efterföljande glättkondensator (470µ/63V) och en variabel
belastningsreostat (ElectroKit 2016, restlager 270Ω/10W insatt i särskilt
konstruerad sockel). MätOP CA3140 (1TΩ) — som krävs till oscilloskopet,
vars 1MΩ annars demolerar mätnoggrannheten — med särskild
strömförsörjning, lilla 12V-batteriet — med särskild OnOff-mikroswitch och
ON-indikering (UltraGrön Ø3mM med 1MΩ) — med särskild enkelt
ON-låsningsmekanism.
Reostat (ElectroKit 2016). Variabel
262Ω-10W-potentiometer med specialsockel för strömteständamål.
—
Provisorisk skala 0-262 med millimeterpapper på specialslipad omkretscylinder.
Foto:
26Aug2016 FBacDC--3
TERMEN
REOSTAT hänför sig till en speciallindad variabel resistans med försumbar
induktion:
— Trådlindat
variabelt motstånd med minimal induktans.
Ramen kring reostaten ovan är anpassad till
/ specialkonstruerad för den egentliga reostatkroppen: Lämpliga kopparrör (med
skruvfäste till den underliggande kopparlaminatplattan) bildar säkra och starka
friktionskontakter med reostatuttagens tre uttag — inga lödningar krävs.
— MätOP:n CA3140 kontrollmäter här på
T2c-utgången så att vi ser att korrekt funktion gäller:
— JFET:ens Gate-Source pumpar åt olika
håll i respektive halvperioder. Totalt medför det att 1µ-kondensatorn över
potentiometern Rp parkerar (tomgångsström) på ett specifikt U(T2be)
spänningsvärde som kopplar till hur T2 kommer att leda när strömgränsen uppnås.
Normalt sett — ingen JFET med i bilden — tänder T2
(BC546B) via Ube från lägst drygt 0V3(4) till omkring 0V6 vid fullt strömdrag.
Med JFET:en — plus en justerande (utdrygande) basresistans (Rp) i matchning mot
en toppresistans (R1=10M) till T2-basen — kan Ube-T2 styras ut med motsvarande
variabla potentialbarriärtriggspänningar: T2 leder vid motsvarande olika stora
strömgenomgångar över mätresistansen R0.
— Därmed har vi fått fram en »superUltraStrömsnål»
elektronisk variabel säkring — perfekt för batteriapplikationer.
Strömförbrukningen i otriggat läge bestäms helt av R1 (10M).
Genom att JFET-omslaget för en viss
T2=ON-triggning kräver en fast toppspänningsreferens i T2-drivningen — annars
ändras en given strömtriggande nivå med ändringen i T2-spänningsdrivningen —
måste en fast spänningsregulator finnas med i bilden. Vi får den från en
enklare 3T-PBSR
med strömförbrukningen (här) 1,7µA — samma 3T-PBSR som i NchFB-JFET-NAND, här något modifierad
med R2=(965=825+140)Ω med utspänningen vid 25°C 4V96.
Bilden nedan visar testformen med 3T-PBSR-enheten
och en 49011-NAND-kapsel insatt som Latch (»låsminne») för strömsäkringens
påtriggade tillstånd:
AC-FuseBoxen:s primära
krets/komponentblock:
KOPPLINGSSCHEMAT — enkla
Foto: 26Aug2016 FBacDC--4
Vänstra lilla kopplingsdäcket visar
4011-kapseln som matas av 3T-PBSR-enheten längst till vänster.
Säkringscentralen med JFET:en (T1) och T2 i mitten med Rp-potentiometern.
Strömkällan till 4011 och 3T-PBSR är det lilla 55mAh 12V-batteriet.
— Strömförbrukningen för 4011 är helt
försumbar — i nA-området. Totalt drar säkringskretsen här knappt 3µA.
Bilden nedan visar hela AC-säkringskretsen med de
bägge testmultimetrarna som används för testavläsning av ström och resistans.
— Tanken bakom
hela anordnings praktik är att man, i vilklet fall, för en viss
tillämpning ska kalibrera säkring för en viss utlösning.
— Test med SMPS-AC-enheten 9-24VAC visar att alla
inspänningsområden ger respons hos JFET-säkringen: från omkring lägst grovt 150-200mA
och sedan uppåt (testat till i varje fall 1A5 — SMPS-enhetens ungefärliga
strömgräns).
— Generellt för samtliga inspänningsområden måste
1µ-kondensatorn avlägsnas då den annars vid högre AC-invärden låser sig vid en
nivå som inte når ner till noll, och därmed inga högre strömsäkringsvärden
tillåts.
Foto:
26Aug2016 FBacDC--5
Kopplingsdäcken som i bilden ovan:
vänstra kopplingsdäcket med 3T-PBSR-enheten (4V96 vid 25°C) och 4011-kapseln,
högra däcket med själva säkringsenheten och testblocket med mätresistans och
likriktning plus testbelastning.
Bilden nedan visar den fullständiga
testanordningen med den mekaniska återställningskretsen inkluderad — en fullt
fungerande AC-strömsäkring för utvärderande teständamål.
PRAKTISKA KRETSBLOCKEN
till JfetAC-FB — MED hjälp av KOPPLINGSDÄCK:
Foto:
26Aug2016 FBacDC--7
Hela testkopplingen till AC-FuseBox:en
med motorkretsen: Det vita partiet visar — enklaste lösningen — den speciellt
utformade mekaniska anordningen för det
speciellt felsäkra testläget, se nedan i FELSÄKERT MEKANISK TESTLÄGE.
— OFF-läget nås förutom direkt
mekaniskt (den tunna planremsan skjuts åt vänster ca 1mM) också av den
elektromekaniska motoranordningen (impulsreläet) via strömsäkringen då dess maxgräns uppnås eller
överskrids.
Uppmätt/Testad Rp=1M-StrömKalibreringsskala 9-24VAC-SMPS
— Se Rp-skalan
Hela Kopplingsschemat med byggblocken i bilden
ovan visas nedan:
KOPPLINGSSCHEMAT — Praktiska kretsblocken
MOTORKRETSENS TILLSLAGSFUNKTION har här
modifierats från testversionen (Impulsreläet)
för att få en allmän passning för motorkraftens utstyrning via olika
NCH-typer:
— FRÄMST: M+-matningen kan justeras/bestämmas med olika
Uz-värden:
NOTERA KORTA PULSER TILL DC-MOTORER
(av modelltyp) DIMENSIONERADE FÖR KONSTANT DRIFT MED MAX ANGIVET VOLTTAL:
— För 3V-motorn kan betydligt högre
drivspänningar användas — FÖRUTSATT att inkopplingstiden är KORT, här max några
hundradels sekunder OCH tillfällena är väl utspridda.
Räkna energiutvecklingen E = Pt: Är
P=3W (3V·1A) under 1S, ges samma energi (värme-) utveckling på 0,1S om P är
10ggr större, osv. Maxvärden kan grovberäknas om man vet pulsviddsförhållandet
(PWR=t/T=inkopplingstid/Repetitionsintervall):
E =
Pt = Pt · T/T;
E =
PT · t/T; T=1S; t/T=PWT;
— Energin (värmeutvecklingen) avtar
med avtagande inkopplingstid (t):
— Max energiomsättning uppnås om
effektvärdet P (ström gånger spänning) multipliceras analogt med 1/t
om T = 1S.
— Är inkopplingstiden 0,1S för en
DC-3W-motor som normalt drar 1A vid 3V, förutsatt repetitionsintervallet är
minst T=1S, kan inspänningen under tidrymden t tillåtas vara max
10ggr större (Max30V).
Notera att dessa beräkningsgrunder är de elementärt teoretiska som kan
användas för GROVRÄKNINGEN.
— I det praktiska fallet tillkommer
också andra faktorer typ SPÄNNINGSTÅLIGHET för olika sektioner i aktuell
apparatur.
Försiktighet, således, i Testerna av Teorins praktik.
— Det ger en säkrare tillslagsfunktion via en
motoroberoende spänningslinje, här direkt från SMPS-AC-matningens avgränsade
diod-kondensatorlinje (9-24VAC = tomgångstoppspänningar max 18-50V).
Föregående enklare testkoppling (grundkretsen till Impulsreläet — 3V/GateElevation) visade
sig för svag i motorkraften då planplattan med
OFF-funktionen lades till. Med kretslösningen ovan försvann
det problemet.
Vilken
motorkraft som minst krävs generellt beror på HUR justeringen med
låsmekanismerna fungerar i det praktiskt lösta fallet (återfjädringar +
friktion) — tillsammans med en viss (maximalt lågspänningstriggande)
NCH-transistor.
— Med kretslösningen ovan kan nu motorkraften
styras/bestämmas/fastställas mera behändigt, och i stort sett vilken som helst
NCH-Power-MOSFET användas (Testade: BUZ11, STP 60NF 06L).
— Hela motorkretsens tillslagsfunktion kan
justeras/testas tillsammans med de tids- och spänningsberoende komponenterna:
Uz [här 3V9
från äldre ELFA-sortiment — visar UZ=3V4-3V9 med
Rz=10K och
SPMPS-AC 9-24V],
Cgate [100n] och
Rgate[220K].
— Speciellt har en 100n-kondensator (Cswitch) lagts
till. Utan den korrumperas (i testbygget) inställningsfunktionen
(transientstörning) vid 24VAC. Denna detalj måste man (tydligen) se upp med i
vidare konstruktion/bygge (viss skärmning kan krävas); Utlösande transienter
från switchar skapar falsktriggningar och därmed spolierad funktion hos den
känsliga JFET-kopplingens avgörande roll i strömsäkringen: JFET:en förorsakar
trigg på em-induktionen från en icke avkopplad testswitch, inte på grund av
aktuellt strömdrag.
För motorkretsen särskilt och dess anordning
(bastest), se Impulsreläet.
Mekanisk återställning av Elektroniskt/Automatiskt
Utlöst Strömsäkring
——————————————————————————
TILLFÄLLIGT TESTLÄGE SOM FÖRHINDRAR MEKANISK
ON-LÅSNING
— Anta att strömsäkringen nyligen har utlösts — av
senare mer eller mindre kända orsaker.
— Hur vet vi att den tidigare utlösande
kortslutningen är hävd då vi trycker in mekaniska på-knappen i läge ON?
Vi vet
inte det, säkert. förrän efter ett inledande ON-test.
När huvudströmmen sluts efter ett avbrott — och vi
tror oss ha fixat felet — kan vi testa om kortslutningen eller överströmmen
fortfarande är aktuell genom att snabbt, inom tiondels sekunder, toucha
mikrobrytarens switcharm — och se efter ifall överströmsindikeringen tänds.
Hög ström under kort tid OK
Även om kortslutning föreligger (max
runt 10A med användning av typen SMPS-enheter i området max runt 30W), betyder
höga strömdrag under några hundradels sekunder [snabb MikroTouch] inget direkt
äventyr för lågeffektskomponenter (ingen nämnvärd värme hinner utvecklas), och
förutsatt att strömstötarna inte upprepas med korta mellanrum.
För en helelektronisk automatsäkring
finns inte den flaskhalsen: Ingen mekaniskt låsande anordning finns som kan
häva en OFF-aktion: den helautomatiska elektroniska säkringen bryter en
överström direkt.
— Men varför finns inte den
lösningen här?
— På grund av AC-karaktären: En
helelektronisk lösning kräver aktivt ledande halvledare i bägge
strömriktningarna. Ingen sådan enkel lösning är här känd.
Om överströmsindikeringen inte reagerar är huvudlinjen
OK och klar att använda normalt. Annars är det tydligt att orsaken till
avbrottet kvarstår, och en mera grundlig analys måste genomföras.
MEKANISK
LÖSNING
För att hindra möjligheten att ett låsande
(dubbeltryck eller annat) mekaniskt PowerON samtidigt hindrar ett elektroniskt
resulterande OFF vid — under — själva mekaniska ON-tillfället:
reaktionstiden för att häva
mekaniska ON och tillåta ett närliggande elektroniskt OFF är äventyrlig och bör
(måste) undvikas:
— För att säkerställa det felsäkra mekaniska
testläget måste en motsvarande mekanisk funktion finnas som medger det enkla
testläget. Det har i detta fall realiserats på enklaste sättet som visas i
bilden nedan.
Foto:
26Aug2016 FBacDC--7
Enkel provisorisk lösning till FELSÄKRA
MEKANISKA TESTLÄGET:
— Ett 0,5mM tunt vitt klippark har
tillskurits i två sektioner, en för ON och en för Off+FelsäkertTestläge:
— ON-delen
består av en remsa, delvis tvärskuren i två sektioner för att få en ledad del
ner mot den aktuellt utförande ON-sprinten — bilden höger ovan med ON-sektionen
lossad och utvikt för insyn i utförandet. I infällt läge trycker man bara nedåt
på papperstoppen. Mikroswitchens hävarmsfjäder är förhållandevis (mycket)
stark: Vid återgång till OFF-läget snärtar ON-sprinten iväg, vilket här dämpas
bort av den vänstra (högra bilden) påskruvade lilla kvadratiska
plexistopplattan.
— OFF-delen
består bara av en inpassad rektangulär planremsa med ett hål i mitten för
Ø1mM-sprinten som sticker upp från det motoraxelpåskruvade hävanordningsblocket
som ombesörjer elektromekaniska OFF-funktionen. Genom att helt enkelt skjuta
den ytplattan (här åt vänster — max 1mM) frikopplas hävarmens låsläge och
huvudströmleden bryts.
— FELSÄKRA
MEKANISKA TESTLÄGET — se förklaring i FELSÄKERT MEKANISK TESTLÄGE
— garanteras genom att helt lätt hålla OFF-planplattan i vänstra stoppläget —
och därmed ON-knappen tillgänglig med momentan funktion — utan mekanisk
ON-låsning. Därmed kan huvudströmleden testas med inkoppling endast under den
touchande tidrymd (några hundradels sekunder MAX) som mikroswitchen
sluter/bryter vid en snabb aktivering. Den tidrymden är tillräcklig för att —
OM något fel finns och kortslutning gäller — huvudindikering ska visa röd
lampa. Den korta testinkopplingstiden garanterar att inga äventyrligheter kan
uppkomma med aktuella lågeffektskomponenter OM något kortslutningsfel skulle
föreligga.
Rp-skalan
POTENTIOMETERSKALAN NEDAN kopplar till bilden av de
infällda små trimpotentiometrarna (Bourns), här med typen 3323 med 12 st
skalstreck. Testvärdena visar att strömgränserna grovt sett skiljer sig
försumbart ringa mellan lägsta (9V) och högsta (24V) inkopplingsläget i den
testade AC-SMPS-enheten (Rp, högra
delen i Kopplingsschemat).
Skalskivan
ovan är angiven för Rp-trimpotentiometern i kopplingsschemat
från grovtest med AC-inspänningarna resp. 9V och 24V enligt Testanordningen.
Reostatpotentiometern
har använts med variabla resistanser från 260Ω mot 0 och en inkopplad strömmätande
multimeter (BS1704).
Foto: 3Sep2016 FBacDC--22
Den blå
1M-trimpotentiometern (här typ 3362 — ElectroKit 2016) betecknad Rp i kopplingsschemat ombesörjer inställningen
av AC strömsäkringens utlösande nivå enligt Rp-skalan.
*
TYRISTORBASERAD ELEKTRONISK SÄKRING
Kopplingsschema — funktion, förklaring
KRETSSCHEMA
— praktiskt utförande
TyrNchFB — elektronisk strömsäkring
Tyristorbaserad N-channel MOSFET FuseBox
Alla komponenter finns på ElectroKit och/eller
Kjell&Company (2016)
Samma
typ som i NchNPNtyrFB, men utan NPN-transistorn:
KOPPLINGSSCHEMA
NCH-BFtyr 5Aug2016:
Batterianslutningen via Ø0,5mM tennad koppartråd,
tillböjd som i bilden ovan.
Se
generellt i BATTERIKONTAKTER,
om ej redan bekant.
— Plusknappens elektrod monteras med en mässingsring —
yØ6mMiØ5mM mässingsrör (Järnia¦Alfer):
— Kapa/såga av röret till en ca 1mM smal cylinder
— tjockare/högre cylinder ger motsvarande styvare fjäderkraft; Klipp/såga upp
ringen för fjäderfunktionen; Grader avlägsnas noga:
— Ringen ska pressas ner över den tillplattade
(plattång) och figuranpassade trådänden.
— Minusknappens elektrod monteras genom att (plattång) böja
ut diametrala kontaktblecken så att (den tillplattade) tråden kan skjutas in i
springan och sedan förseglas fast med återböjning av bleckändarna.
KRETSKOPPLINGEN
TILL NCH-BFtyr MED LILLA KOPPLINGSDÄCKET:
STRÖMFÖRBRUKNINGEN — så länge ingen strömtrigg
gäller — består förutom batteriindikeringsblocket (max 2µA) av matningen via 1M
till MOSFET:en. Den strömleden har ingen annan koppling till GND-linjen än via
den gateskyddande Zenerdioden (15V), och därmed en backresistans i
storleksordningen GigaOhm: i=U/R=9V/1GOhm=9nA om batteriet är ett 9V-batteri;
— 9V-Batteriet (normalt 500mAh) självläcker ut
(2-4 år) långt innan det används ut (500mAh/2µA=250000h=28,5år).
Strömsäkringens triggfunktion
R
= 0,78V / i
fungerar inte om matningsspänningen underskrider
(ca) 8V. Anledningen här är den (ofta besvärliga) tyristordelen som kräver en
minsta styrström (0,2mA för EC103A eller likvärdiga 2N5060) för att dra, med
motsvarande (ofta trixiga) villkor för att få tyristorn att tända med absolut
minimala gateströmmar. Testen här har visat att med de angivna komponenterna är
det kört med mindre drivspänning än 8V.
Önskemålet — och testförsöken — utgick här från
början ifrån att försöka få fram en enkel elektronisk strömsäkring som med
minimal egen strömförbrukning skulle kunna användas ner till 5 Volt — det är
grovt det alkaliska 9V-batteriets »absolut sista hållplats».
Det
lyckades inte här — gränsen går vid lägst 8V.
Däremot
finns en annan (galant) lösning som klarar 5V-gränsen: Se NCH-FBcmos.
Ytterligare en 5V-lösning finns, om möjligt ännu mera galant i NCH-JFET-CMOS.
NANDBASERAD ELEKTRONISK SÄKRING
Kopplingsschema — funktion, förklaring
KRETSSCHEMA
— praktiskt utförande
NchFB-CMOS-NAND
NAND-gatebaserad N-channel MOSFET FuseBox
Alla komponenter finns på ElectroKit och/eller
Kjell&Company (2016)
Kretslösningen nedan bygger på en CMOS-LATCH via
2st NAND-grindar:
— När strömmen över strömsäkringsresistansen når
triggvärdet (R=0V43/i) ges signal (101: EttaNollaEtta) till NAND-latchen:
Latchen låser, och stänger därmed av huvudströmleden som styrs av
MOSFET-transistorn som matas av ena Latch-Nand-grindens utgång (2).
NAND-Latchens
digitala signatur:
NAND:
»ANY
0in = 1out»:
— Med bägge
ingångarna SR=1 (Etta — via en 1M-PullUppResistans
till matningsspänningen)
NOLLSTÄLLS
NandLatchen på Q=1 med en RESET-nollning på R-ingången (R=101).
— Sker
härifrån en motsvarande nollställning (101) på SET=S-ingången, ettställs
(återigen) Q-utgången — och förblir SEDAN ettställd — OBEROENDE av vad som
SEDAN händer på S-ingången:
NAND-Latchen spärrar för »oavsiktliga självtrigg». För att kunna trigga Q igen
från 0 till 1 måste först en RESET (101) ges.
Genom att använda CMOS-logikkretsar (4011 har 4st NAND)
garanteras strömförbrukning i nanoampereområdet — samt garanterat säker låsning
vid given ON-trigg via grindlogiken som ovan. CMOS-kretsar kan matas med
spänning upp till +18V.
Kopplingsschemat, NchFB-CMOS:
Effekt-MOSFET-transistorn STP 60 NF 06 L (ElectroKit — RdsON =
14mΩ @ Vgs=5V iD=30A; Vdss=60V; Vgs=±15V) är f.ö.
särskilt utformad för att, via låg bas/gate-drivning, kunna styra ut maximalt
stora Drainströmmar.
INSÄTTNINGSEXEMPEL MED
STRÖMSÄKRINGSRESISTANSEN R:
————————————————————————————
Exempel: R = 1Ω
→ iTRIGoff = 450mA
Exempel: R = 10Ω
→ iTRIGoff = 45mA
Strömförbrukning utom triggat läge (fulladdat
12V-batteri): 2,4µA.
— Notera olika småsignaltransistorers olika
strömförstärkning (hFE):
BC 5 46¦56 A har runt hFE=150 enligt test på ett mindre antal
individer
BC 5 46¦56 B har runt hFE=300 enligt test på ett mindre antal
individer
Den starkare typen (B), som ovan, ger en mera skarp
och tvär förstärkningsfunktion med lägre triggtröskel, här ca 0V4 mot A-typens
0V5.
KRETSKOPPLINGEN
TILL NchFB-CMOS MED LILLA KOPPLINGSDÄCKET:
Lödningarna på den uppvända 4011-kapseln
förbättrar/fixerar de annars delvis vickliga inskjutningarna i lilla
kopplingsdäcket:
LÖDNINGSMONTAGET 4011:
— 4011-kapseln — monterad på ledande skumplast —
har först kortslutits mellan alla ledningsben med en av de fina blanka
koppartrådarna som finns i vanlig starkströmskabel
(klipp av 1 dM, skala av 1cM i änden, dra ur en
tråd med plattång).
Därmed
kan kapseln hanteras säkert utan risk för elektrostatiska äventyr.
Kortslutningstråden avlägsnas sist efter monteringen.
För
bästa lödresultat:
— Använd en lämplig lödvätska - inte lödpasta:
lödpasta ger extra rester som måste tvättas bort med cellulosaförtunning. Doppa
sedan den VÄL rengjorda (smala för små lödningar) lödspetsen (lodrätt) över en
(särskilt vertikalt uppmonterad bit) multicore-tenntråd (den inbakade pastan i
multicoretråden ger god tennöverföring till lödspetsen) SÅ att en liten
tenndroppe fastnar på lödspetsen. Anbringa sedan tenndroppen/lödspetsen till
lödstället — planera »bästa stället» = mest effektiva värmeavgivningsområdet,
vilket säkrar en snabb och effektiv lödning (STORA metallmassor kräver STORA
värmemängder: droppmetoden lämpar sig bara för de
allra minst värmekrävande lödningarna, analogt tennets egen begränsade
värmeledningsförmåga).
— Stryk av slaggrester från lödspetsen (med jämna
mellanrum mellan lödningarna) mot en vattenfuktad hushållspappersbit.
Sedan
alla lödningar gjorts: Tvätta/borsta efter med vanligt vatten (liten fin och mjuk målarpensel — borsta bort vattenrester
med en annan, torr, pensel — utför testmätningar om möjligt för att kontrollera
att inga elaka lödrester saboterar elektroniken).
SÄKRINGSTEST:
Med nytt
9V-batteri (9V36):
— Strömlast
10Ω kortvarigt (en sekund) visar Ubatt ca 9V (900mA).
— Med
5Ω ca 8V (1A6).
Mikroswitchen (Kjell&Company) tål (minst, kontinuerligt = ska kunna sluta/bryta) 3A
125VAC.
En separat uppkoppad 9V-batterienhet med olika
belastningsmotstånd (från 1-10Ω och uppåt) kopplas till ingången på
säkringen:
TESTKRETS FÖR ELEKTRONISK SÄKRING
Foto: 14Aug2016
NcnFBnandA--10-13
TESTFORM:
— När säkringsskyddet utlöser ska den gröna
huvudströmslysdioden slockna och den blå säkringslysdioden tändas:
huvudströmvägen är då garanterat — säkert — avstängd.
— Enda restriktionen som finns att beakta för
strömsäkringens användbarhet, är att — noga — studera vad som gäller då
huvudströmvägen är avstängd: Power-MOSFET-transistorn (STP60NF06L) tål max 60
volt mellan Drain[Kollektor]-Source[Emitter]. Så länge det villkoret uppfylls
kan säkringen kopplas in på vilken som helst huvudströmslinje, helt oberoende
av dess relativa spänningsvärde — och som (generellt) inte ska föra mer än max
runt 1Ampere. Lilla kopplingsdäcket sätter den gränsen på grund av de relativt
höga (stundtals flera hundra milliohm) kontaktresistanserna (som därmed kommer att utveckla allt mer värme med allt
högre genomströmmar och därmed också en allt mera korrumperad flora av extra
stora spänningsfall). För huvudströmmar med högre strömmar måste
speciella anordningar/socklar utformas.
Ett annat strömsäkringsalternativ som också kan
matas i µA-området med batterispänning ända ner mot runt 5V visas i Nch¦FB¦JFET¦Nand.
JFET-NANDBASERAD ELEKTRONISK SÄKRING
Kopplingsschema — funktion, förklaring
KRETSSCHEMA — praktiskt utförande
JfetNchFB — elektronisk strömsäkring (10-17Aug2016)
JFET-baserad
NCH-MOSFET NAND-styrd FuseBox
———————————————
STRÖMFÖRBRUKNING: mindre än 3µA
Alla komponenter finns på ElectroKit och/eller
Kjell&Company (2016)
Foto: 17Aug2016
NchFBjfetNand--1
Förutsättningen för funktionen med JFET:en bygger
helt på existensen av en fast referensspänning. Här är den 4V85 vid 25°C med de
angivna komponenterna; JFET-applikationer visar generellt stor kräsenhet vid
tillämpningar där små noggranna nivåer ska exponeras för större uttag. Utan en
fast spänningsreferens för JFET-ändarna, havererar hela funktionen till ett
intet.
— JFET-transistorns funktion är helt enkelt att
åstadkomma en (annars omöjlig) variabel för den bipolära NPN-transistorns
potentialbarriär (Ube=0V6). Genom att variera den (60mV upp mot 1V), kan
strömsäkringstillfället sättas med en trimpotentiometer (Rp=1M).
Kopplingsschemat, NchFB-JFET-NAND:
— JFET-transistorn BF245A
(PitchOff-spänning [Gate-Source CutOff-voltage] PHILIPS datablad
1985 [BookS5]: min –0V25 max –2V) matchar (testat 17Aug2016) den som säljs av
ElectroKit med beteckningen 2N5457 (lägsta PitchOff-spänning FAIRCHILDs
datablad min –0V5 max –6V).
— Men observera att benkonfigurationerna är
omvända. Se JFET-transistorn BF245A.
Strömsäkringens triggfunktion (i = Ube/R)
R
= Ube(T3) / i
Ube för NPN-transistorn T3 justeras med
trimpotentiometern Rp=1M
— grovt generellt enligt test: 50mV — 1V
bestäms här variabelt via trimpotentiometern (Rp=1M)
via JFET-transistorns variabla spänningsfall Source(Rin)-Gate(Rut):
KRETSKOPPLINGEN
TILL NchFB-JFET-NAND MED LILLA
KOPPLINGSDÄCKET:
Tilledningar — InUt: För konstruktion och montering av tilledningarna InUt till
kopplingsdäcket, se AUX Special.
Folie — överst vänster: Se Kopplingsdäckets Jordning.
Beroende på inkopplingssätt visar testerna att
Ube-intervallet uppför sig olika för olika sätt. Dels beroende på
strömmätresistorns (R) värde. Dels beroende på mer eller mindre optimala
kontaktresistanser. Kretskopplingen på lilla kopplingsdäcket ovan visar
alternativet med minimalt hållna kontaktresistanser enligt den vänstra delen i
uppställningen nedan:
Olika INKOPPLINGSSÄTT MED OLIKA SUMMA
KONTAKTRESISTANSER I LILLA KOPPLINGSDÄCKET.
Trimpotentiometerns
(Rp) olika inställningar för att ställa in strömsäkringens utlösningsnivå.
Vänster: R
= 1Ω:
minsta: säkringen utlöser vid lägst ca 60mA
största: säkringen utlöser vid kortslutning
Kretslösningen ovan är i jämförelsen med de andra
alternativen den mest användbara genom att triggnivån (60mA-1A) kan justeras med
potentiometer.
Utrymmet
på lilla kopplingsdäcket räcker emellertid inte till för att också här
inkludera en BytBatteriIndikering, eller en separat Batteri OnOff-switch.
Konstruktion och montering av InUt-kablaget —
minimering av kontaktresistanser — har utformats som följer:
Foto: 17Aug2016
NchFBjfetNand--2;12
Den infällda illustrationen överst vänster visar
monteringsstegen:
— FÖRST har PowerMOSFET-benen längsvridits så att
benens flatsida stämmer bättre med kontaktbleckens längsspår; Montera
PowerMOSFET:en först i en bit ledande skumplast så att transistorn kan hanteras
utan risk för elektrostatiska haverier: Tryck igenom benen och fatta längst ner
med en plattång, och vrid varje ben 90°.
— SEDAN ±-kablaget RödSvart: Skala ändarna ca
7-8mM (TummePekfingergrepp med naglarna mot
isoleringen: sätt emot vass papperskniv och rotera eggen runt, sedan bara att
dra av isoleringen); Använd plattång för att platta till trådändarna som
sedan ska skjutas ner i sitt kontaktbleck TILLSAMMANS med (Röd)
PowerMOSFET-benetMitten(Drain[C]) och (Svart) StrömResistansens (R) UT-ben; Böj
ner tillplattningarna 90°, vrid plattdelen så att den ligger parallellt med
kontaktbleckets spår; Sätt i ±-kablarna först:
DÄREFTER:
— Illustrationen Nr1: Ett yØ2mM¦iØ1,3mM kopparrör (IronBill) ca 3mM ska bilda
kontakthylsa mellan PowerMOSFET-benetHöger(Source[E]) och närliggande
StrömResistansens (R) IN-ben; Se till att rörbiten är ren från gradrester;
— Illustrationen Nr2: Böj till StrömResistorn (R¦1Ω) och klipp av IN-benet så att
det slutar vid R-kroppens nederdel; Återstoden på det avklippta R-benet kan
behöva plattas till något med plattång (testa);
— Illustrationen Nr3-6: Fatta tag kring kopparröret och skjut in det kortare R-benet,
samt sedan det längre R-benet ner i kopplingsdäcket (Illustrationen Nr4). Röret
och R-kroppen ligger nu (hyfsat) fixerade: Ta ur PowerMOSFET:en ur sin
tillfälligt preparerade ledande skumplasthållare (Illustrationen Nr5) och skjut
in transistorbenen (Illustrationen
Nr6) så som bilden ovan visar: Med visst lugnt
lirkande, ska nu alla tilledningsben åka ihop snyggt, fast och stabilt vid
inskjutningen, utan att efterlämna några glappande vickligheter, och så att en
maximalt låg kontaktresistans uppnås; Separat test med liknande konstruktioner
— kopparrör mot kopparen i tilledningsbenen — visar att kontaktresistansen
(oftast) hamnar under 1mΩ, faktiskt.
— Illustrationen Nr7: ±-kablagets tillplattning i ändarna. Längsvrid (bottenskruva med
plattång) ändtillplattningen så att den passar i kontaktbleckets längsspår.
Foto: 17Aug2016
NchFBjfetNand--6
KOPPLINGSDÄCKETS EVENTUELLA JORDNING:
— Speciellt då kretsbilden innefattar höga
(>>1M) resistanser (här särskilt
JFET-komponenten, beroende på) blir kretsen mera känslig för omgivande
nätbrum.
— Ett enkelt, provisoriskt men effektivt sätt att
minska, dämpa eller helt eliminera kretsens mottaglighet för kraftnätets 50Hz
brumkomponenter är, som det har visat sig, att placera ett metallplan under
kretsplanet, samt förbinda det fristående metallplanet med en jordkabel till
kretsens huvudsakliga nollpotential (GND). Bilden ovan visar ett sätt:
— Den tillplattade koppartråden (utvalsad Ø0,5mM
Tennad Cu) får vi från den enkla men effektiva KOPPARTRÅDSVALSEN: Reständarna från
utvalsning bildar en ”spade” med originaltrådens cirkulära tvärsnitt + en
utplanad ändform. Den har här använts för att forma en fjädrande kontaktmärla —
utvalsningen av koppartråden gör denna (extremt) hård, med utomordentliga
elastiska fjäderegenskaper för små kontaktområden: Forma plandelen efter
kopplingsdäckets ändform, tryck ihop fjäderprofilen så att den vid
inskjutningen följer med och formar sig efter värdkroppen.
— ALUMINIUMFOLIEN under kopplingsdäcket, och som
kontaktfjädern ska ligga an emot, är i detta fall monterad i efterhand med
fullt bestyckat kopplingsdäck. Så här kan man utföra den proceduren:
— Använd typ ICA:s plastskärbräde — en s.k.
fetplast som med mindre vidhäftning kan ta emot typen vanlig tejp utan att
denna smetar fast.
— Applicera en remsa dubbelhäftande (ICA) tejp på
skärbrädet, och passa in kopplingsdäcket så att ett litet överhäng (bilden
ovan) lämnas för foliens övervikning och vidhäftning mot däckets långsida.
— Tryck sedan ner däcket på tejpen — en långsida i
taget, vidare nedan.
— Använd papperskniv för att skära av
överskjutande tejpdelar på däckets kortsida.
— Upprepa samma procedur för däckets andra
långsida.
— Lägg sedan en bit vanlig köksaluminiumfolie på
skärbrädan, och flytta över det tejppreparerade kopplingsdäcket till folien;
— Använd typ stålskala (SHINWA) som mothåll för
att sära av folien med raka snygga skär. Skär bort överskjutande foliedelar.
— Vik slutligen upp de överskjutande långsidorna
(med stålskalans hjälp — hela tejplängden med en gång) och gnugga/tryck fast
tejpen (med stålskalan) mot däcket så att monteringen ligger fast.
Applicera slutligen jordklämman som ovan.
Se
generellt BATTERIKONTAKTER
— olika enkla sätt
I detta fall kommer den uppvikta folien att (nära)
kollidera med batteripolernas tajta anslutning till kopplingsdäcket:
Foto: 17Aug2016
NchFBjfetNand--9
Här har en tunn pappersskiva insatts som skydd mellan
folien och batteripolerna.
För
konstruktionen av enkla anpassade batterikontakter (9V) till kopplingsdäcket
(och annat), se särskilt i BATTERIKONTAKTER,
om ej redan bekant.
Metoden ovan
i bild beskrivs särskilt i KRingPlusUTAN.
JFET-transistorn BF245A — matchar 2N5457 Men
observera omvänd benkonfiguration:
JFET-typen BF245 (ABC) tillverkas (veterligt) inte
längre. Mina exemplar är från tidigare ELFA-lager (2000).
— ElectroKit (2016) har en typ (lägsta
PitchOff-spänningen) med beteckning 2N5457 som enligt test (17Aug2016) uppvisar
precis samma respons som för schematypen BF245A — testat med R=1Ω och
InUt-anslutningarna som i kretsschemat..
Se resultatdata i tabellen till OLIKA INKOPPLINGSSÄTT.
PRAKTISK ELEKTROMEKANIK — finmekanik för hobby och amatörer
För +5V-matningen — se STABIL SPÄNNING
FRÅN BÖRJAN
NCH-Fusebox — supersäkert
kortslutningsskydd
Generallösning för i
stort sett alla möjliga tänkbara fall
HELA
KRETSLÖSNINGEN från 2010-11-30
ANSLUTNING:
Batterieliminator [3–24V] ansluts med positiva
ledningen till T1[Drain D].
Den användbara OCH ELEKTRONISKT SÄKRADE
strömmen från batterieliminatorn tas sedan ut vid Ub och leds via lasten till
batterieliminatorns minuspol [ej utritat].
KRETSDATA:
max belastningsström 8A — begränsas av
strömmätningsmotståndet på 0W7: högre värden kräver särskild kylning
absolut max belastning MOSFET-transistorn på 75W och
Ron 0,012Ohm sätter gränsen vid [P=UI=RI²] 79A — men då måste kretsbilden modifieras;
LÖSNINGEN NEDAN är gjord med tanke på ALLMÄN LABORATORIEELEKTRONIK — i de allra
flesta allmänna fall max 1 Ampere; för högre strömmar görs speciella
konstruktioner [som bestäms av DIG från fall till fall när BASKUNSKAPERNA väl
en gång uppfattats]
max inspänning saknar
[i princip] betydelse [med den separata kretsmatningen +5V tillåts
max 5/0,1=50 Ampere genom 0R1-motståndet: om den typen krävs måste särskilda
anpassningar göras], kretsen arbetar enbart på spänningsfallet över Rab från strömgenomgången
praktisk max ström 1A5 — matchar ungefärliga maxdata för vanliga batterieliminatorer
[3–24V] — för enklare laboratorieändamål
effektförbrukning SOM
TAS FRÅN INKÄLLAN:
P = 0,1 × strömanvändningen = max 0,15 W (inkällans förlusteffekt) vid full strömeffekt
1A5 [MAX 10%]
effektförbrukning INTERN EGENFÖRBRUKNING:
2,2
mA [0,0022A×5V=11mW] kontinuerligt med grön LED On varav 0,8mA för OP-kapseln
LM324
funktion manuellt
återställningsbar snabb elektronisk automatsäkring, manuell säkringsinställning
0[6mA]-1A5
indikering grön LED strömlinjen OK — röd LED strömlinjen bruten
[MOSFET-gate nollad]
TESTDATUM 1 December
2010 — alla funktioner godkända, inga anmärkningar — kopplingsdäckets
referensbygge.
PROTOTYPDATUM 2 Januari 2010 — alla
funktioner godkända, inga anmärkningar — det färdiga produktblocket.
Funktionen är SÅ noggrann, att man önskar en bättre
inställningsmekanism än den enkla potentiometern vid OPnr3.
Genom att hela strömmätningen här görs via en
helt fristående matningskrets [EMITTERREFERENSEN] finns ingenting av de
föregående störningarna på mätlinjen: Mätlinjen är idealt ren, oberoende av
variationer i batterieliminatorns spänningsfysik. Det är bara
belastningsströmmen genom T1 och Rab som räknas.
— Alla plågoandar från
den ytterst besvärliga kretsbilden från GRUNDKOPPLINGEN bara försvann:
Vi hade — först —
kopplat upp en DIFFERENTIALFÖRSTÄRKARE med LM324.
Den lösningen visade
sig vara problematisk med matningsspänningen (i princip »godtyckligt variabel»
för en godtycklig spänningsregulator ..) kontra mätspänning och slutresultat.
Så: Den plågoanden
bara försvann med emitterlösningen ovan.
JAN2010:
— Prototypexemplaret visar en minsta totaloffset
på ca 6mV som bildar absolut undre gränsen för strömsäkringen. Beroende på
OP-kapselindivid kommer andra kapselindivider att uppvisa [något] andra sådana
bottenvärden.
ritning
och konstruktion
SCHEMAN — kretslayout, arbetsblock:
Verktyg:
1. papper och ritinstrument eller motsvarande
standarddator (med enklare program för text och bild)
KONSTRUKTION
METOD — improviserad ledningsdragning med
0,5mM förtennad koppartråd
Verktyg:
1. maskinskruvstycke med snabbmatning [Typen
fanns förr på Clas Ohlson, numera på BILTEMA]
2. Avbitare, plattång, pincetter — alla
upptänkliga existerande eller uppfunna verktyg som kan underlätta
3. God belysning — stort synfält på små
detaljer (använd med fördel typen pannlupp med extra förstoring via vanliga
läsglasögon)
MONTERINGEN — monteringen av kontakthylsorna,
förberedelse för ledningsdragningen:
TM6 FB1mont 4 — NikonD90 Dec2010
EFTER LÖDNINGARNA, före tvätten:
TM6 FB1mont 5 — NikonD90 Dec2010
TVÄTTNINGEN ÄR AVGÖRANDE.
— Jag har under loppet av åren testat olika
tvättningssätt med konventionella vanliga köksmedel typ DISKMEDEL, SÅPA och
AJAX — både på blocktypen ovan i plexiglas och på konventionella
glasfiberlaminat som etsats på vanligt sätt (med minimala ledaravstånd). Sett
till YTAN syns ingen skillnad mot det verkligt effektiva tvättmedlet: standard
förtunning (konv. Thinner).
— Resistansmätning mellan kontakthylsorna
visar mer av regel än undantag i fallen konventionella tvättmedel små rester
som ger mellanresistanser i storleksordningen 10 Mohm och uppåt eller
däromkring. STANDARD FÖRTUNNING tar bort alla sådana förekomster — Använd ett
plåtkärl (gammal matdosa) och målarpensel; borsta igenom lödsidorna ymnigt på
tvären och bredden genom att doppa penseln i thinnerbadet — vid behov, upprepa
om föroreningarna är av typen större.
LÖDNING SPECIAL
LÖDNING SPECIAL — hur MOSFET-Touch-enheten
löds och hur man gör enkla lödriggar
TM6 BS170 16 — NikonD90 Dec2010
Bilden
ovan visar hur resultatet ändras (från vänster till höger) med allt mer
utvecklad lödteknik. Huvudtexten nedan beskriver hur lödningarna går till i
detalj.
— HUR gör man sådana lödningar?
— För en lekman är det en gåta hur man får
ihop TVÅ ytkomponenter [en Zenerdiod plus ett motstånd] på SAMMA LÖDSTÄLLE —
med en mellanliggande 0,5mM koppartråd.
— PieceOfCake för den som känner hemligheten —
en olöslig gåta för den som inte vet.
Så här gör man:
TM6 BS170 1&3 — NikonD90 Dec2010
Lödrigg
för exakta tenndroppslödningar — ytterst enkel med tandpetare och gummisnoddar,
enormt effektiv och allsidig.
—
Använd typ PANNLUPP [med extra förstoring via vanliga läsglasögon] för att få
KOLL på detaljerna typiskt som centralvyn ovan [Nöj
dig inte med mindre].
— Utnyttja HYVLAT TRÄVIRKE som grund för olika
LÖDRIGGAR tillsammans med (svarvade) tandpetare och gummisnoddar. Klipp av en
bit ledningskabel och dra ut en av de fina koppartrådarna, linda tråden kring
MOSFET-transistorns ben för att förhindra elektrostatiska äventyr.
— Börja så här: Ta MOSFET-transistorn FÖRST
med plastpincett (eller vanlig metallpincett med fattning på höljet); Sätt ner
komponenten i LEDANDE SKUMPLAST [Finns bl.a. på ELFA]; Därifrån kan man TA på
skumplasten och därmed garanterat komma på samma POTENTIAL som den
elektrostatiskt kortslutna komponenten.
— DÄRIFRÅN kan sedan momentet med koppartråden
utföras utan risk. Behåll koppartråden på tills hela lödningsarbetet är slutfört.
1. KOPPLA UPP en tandpetare med gummisnodd
(bilden ovan höger);
2. Böj tilledningsbenen så att de passar
precis för 2,54 mM;
3- För in MOSFET-transistorn [BS170] under
främre tandpetarstången så att komponenten ligger fast mot listvirket.
4- För sedan in Zenerdiod-Ytkomponenten [typ
10V] under tilledningsbenen [BASgate-EMITTERsource] med diodstrecket mot
mittbenet. Det går lätt att bara skjuta in zenercylindern, den glider precis
mellan de två kopparbenen. Lägg den så högt upp som möjligt.
5. Pensla på LÖDVATTEN på ENA lödstället
[t.ex. högra först].
6. Med LÖDKOLVENS lödkolvspets preparerad och
uppvärmd: toucha lödspetsen mot en bit AVKLIPPT MULTICORE-lödtenn — tennbiten
ska sugas upp mot lödspetsen och HÄNGA eller LIGGA där som EN DROPPE (eller liten
utbuktning) — uppgiften är att låta TENNDROPPEN — inte lödspetsen — utföra
lödmomentet enbart genom att via ADHESIONSEFFEKTEN överföra tennsmältvärmet
till DET LILLA LÖDSTÄLLET: korrekt utfört, sker lödningen på mindre än
0,5S [0,2S] med typiskt utseende i resultatet som nedan:
TM6 BS170 10 — NikonD90 Dec2010
Typisk
utseende efter TENNDROPPSLÖDNING.
Med TENNDROPPSLÖDNINGSMETODEN kan extremt fina
miniatyrlödningar göras: Pröva att klippa av en komponenttråd [Ø=0,5mM] och »löda
ihop den igen»: Korrekt utfört kan ingen [lekman] se någon skillnad.
[Övergångsresistansen för avklippt/ihoplödd 0,5mM Cu-tråd är ca 0,0002 Ohm
enligt test].
7. Utför sedan exakt samma procedur på vänstra
sidan.
8. Växla lödrigg till typen på bilden nedan —
montering av motstånd av typen ytkomponent [10M] rakt motsatt den inlödda
zenerdioden.
TM6 BS170 12 — NikonD90 Dec2010
Lödriggen
till ytmotståndet.
9. Pensla på lödvatten som vanligt [och smält
på en mindre droppe lödtenn], utför tenndroppslödningen som ovan i punkt 6 —
löd ena sidan först.
KOMMENTAR: Genom den snabba minimala
lödningen, hinner värmen aldrig sprida sig till komponentens motsatta sida.
Tennlödningen där släpper aldrig.
— I konventionell tennlödning där lödkolvens
lödspets används som värmekälla, överförs mera värme än vad det minimala
lödstället kräver, vilket leder till ÄVENTYR. Använd därför endast
konventionell tennlödning där större värmemängder krävs — och som bara DU själv
kan komma på hur det fungerar utifrån dina erfarenheter och dina verktyg. Glöm
inte lödvattnet — utan det flyter inte tennet ut, och mer av regel än undantag
misslyckas hela lödtillfället. [Typiskt 20 KOhm istället för 0,0002].
10. Komponenten kan nu tas ur riggen — sista
lödningen kan göras med komponenten handhållen UNDER FÖRUTSÄTTNING ATT
LÖDNINGEN SKER LIKA GALANT SNABBT SOM TIDIGARE. Är du osäker, behåll riggningen
också för sista lödningen: Överförs för mycket värme till lokalen, kan hela den
föregående proceduren haverera.
11. Montera ur skyddskoppartråden.
MOSFET-Touch-komponenten kan nu hanteras utan risk för elektrostatiska äventyr:
zenerdioden skyddar, resistansen garanterar en urladdningsväg för MOSFET:ens
gate-source-kapacitans.
TM6 BS170 17 — NikonD90 Dec2010
Komponenterna
färdiga att funktionstestas före slutanvändning.
Jan2011
Efter komponentinsättning och grundtest [2
missade lödningar, kravet på rengöring lika viktigt som i fallet konventionella
kopparbanor på glasfiberlaminat, noterat]:
— Kolla alla (samtliga) kontaktpunkter med
RESISTANSTEST efter lödningen och tvättningen — DET bespar en besväret OM man
skulle ha missat någon lödpunkt (fruktansvärt jobbigt att
hitta om man redan bestyckat ledningsblocket): Använd med fördel ett traditionellt
visarinstrument och GÅ IGENOM ALLA LEDNINGSBANOR, PUNKT FÖR PUNKT — det är
enklare att se på en analog visare med hög känslighet än studera digitalsiffror
på en display om det gäller minsta lilla avvikelse från oändligt (små
avvikelser visas aldrig OM MAN INTE HAR KÖPT EN DYR EN MED MÅNGA SIFFROR).
TM6 FB1test 1&3 — NikonD90 Jan2011
ARBETSMÅLET: att KUNNA teckna meningsfulla
ETIKETTER till STRÖMFUNKTIONER som har utprovats med omsorg [och
inte sällan en stor portion tålamod — inför upptäckten av alla småfel man gör
och innan allt hamnar rätt]. Vyn ovan med alla komponenter insatta, testade och färdiga
för KOMPAKTDESIGN — blocket ska in i en centimeterliten låda med tillhörande
FRONT (och kretsbeskrivning — med BRUKS, man får skiva pyttesmått och
läsa med lupp).
— Den provisoriska etikettremsan med
beteckningar görs med hjälp av fint vässad blyerts — här används CaranDache 2mM
stiftpennor (med speciell pennvässare typ dahle 311) — dokumenttejp (för
plastskydd på ovansidan), dubbelhäftade tejp på baksidan — som »neutraliseras»
med hjälp av typ bokplastskyddsfolie; Efter ritning och »dekalering» (remsan
skärs ut med typ skalpellkniv eller motsvarande) dras skyddsfolien av och
etikettremsan monteras som en ordinär självhäftande inplastad dekal. Utmärkt
för minitext på små utrymmen. Samma typ fast i större skala görs via
(laser-)printer för mer avancerad slutdesign med kretsscheman och basdata på
höljets olika delar.
KOMPAKTERING:
Komponenterna anpassas om möjligt efter
maximalt liten inneslutningsvolym för hela kretsblocket.
— Det betyder att grovinsättningen ersätts av
typisk kortare anslutningsben, i vissa fall [som här med MOSFET:en] böjningar
för att reducera inkapslingsvolymen.
TM6 FB1kompakt 5 — NikonD90 Jan2011
INKAPSLING:
Kretsblocket sätts in i ett
skyddande/beskrivande hölje.
TM6 FB1låd 2
— NikonD90 Jan2011
PROTOTYPEN slutTESTAS
— TRÄ är utomordentligt som (ett första,
provisoriskt) förvarings- och monteringsstöd till en (mindre) elektronikkonstruktion
— förutsatt tillgång till träbearbetningens finmekanik: [geringssåg för
grovmåtten] koordinatbord, pelarborrstativ, ordinära finmekaniska fräs- och
slipverktyg för borrmaskiner. Upptagning för kretsblock med urfräsning för
slidfunktion görs relativt snabbt med tillgång till olika planhyvlade småbitar
[typ listvirke, panelplank, hyvlat regelvirke].
UNDER ARBETETS GÅNG har TEKNIKEN UTVECKLATS
och metoderna FÖRFINATS — för enklare, snabbare och MERA EXAKT
(ledblocks)konstruktion.
Vidare beskrivning följer.
ÖVERBELASTNINGSSKYDD — med NTC-motstånd — med vanliga Kiseldioder — Överbelastningsskyddet:
ÖVERBELASTNINGSSKYDD
Med termen ÖVERBELASTNINGSSKYDD — till skillnad från t.ex.
ett kortslutningsskydd — menas här ett allmänt TERMISKT skydd för (typ) en
spänningsregulators regleringstransistor. Skyddet garanterar att den avgörande
regulatorttransistorn inte havererar på grund av otillåtet stor effektförlust
P(loss) = Ui:
Spänningsregulatorer genererar förlustvärme (värmeeffekt P = Ui) som
produkt av använd ström (i) och differens i inspänning: Uin minus önskad
konstant utspänning Uut.
Normalt, för stationära
ändamål, använder man en KYLARE — stor värme(AV)ledande massa med maximal yta
mot omgivande luft — för att motverka regulatortransistorns värmebildning — och
därmed öka strömkapaciteten (i=q/t) hos en typisk spänningsreglerande
utgångstransistor.
— Är emellertid, som ofta är fallet i testsammanhang,
behovet av höga strömmar med stora spänningsfall begränsat till (relativt)
korta tidrymder — typ max tio sekunder — kan en normalt stor, skrymmande och
klumpig kylarkropp ersättas av en termistor (värmekänsligt motstånd)
tillsammans med en enklare elektronisk styrkets: När en bestämd förinställd
termisk triggpunkt uppnås stängs huvudströmmen av. Därmed skyddas enheten
automatiskt så snart max temperatur uppnås — och kan sedan inte startas upp
igen förrän temperaturen sjunker under triggvärdet.
Vi studerar den
typen i nedanstående artiklar.
ÖVERBELASTNINGSSKYDD
MED NTC-MOTSTÅND
— Bra lösning — men inte »superströmsnål» i tomgång om uppgiften
gäller batterier som strömkälla:
Med triggpunkten för
Ube(T1) runt 0V6 [Rntc/Rb +1=5V6/0V6] och NTC-motståndet (220K vid 25°C — ca 67K
vid 50°C) 67K vid 50°C, blir Rb=0,12·67K=8K04; TOMGÅNGSSTRÖMMEN före termotrigg blir
i=U/R=5V6/(220K+8K04)=24,557µA.
Smartare lösningar
finns — men då utan NTC-motstånd.
ÖVERBELASTNINGSSKYDD
MED KISELDIODER
En mera strömsnål termovakt
visas i kopplingen nedan: max 1µA vid 5 volts matning:
Fotodioderna
längst upp höger i kopplingsschemat används som styrmedel till aktuella
regulatorer: huvudströmmen stängs ner vid uppnådd temperatur.
NTC fungerar inte likvärdigt i Diodkopplingen:
Testanordningen
med dioden (1N4148;1N4007) ersatt av ett NTC-motstånd
— fungerar också
men med snabbare respons (och lägre R2)
Test/Mätanordningen
(nedan) till ovanstående
Dioden kan ersättas enligt test av ett NTC-motstånd (1K; 10K;
testade OK). Men dynamiken blir delvis något annorlunda:
— NTC-motstånden är utformade för maximal snabbhet, medan de
vanliga kiseldioderna och deras höljen reagerar mera långsamt.
|
TERMOTEST kan göras
relativt enkelt med en hårtork som värmetestkälla, + 2-3 långa (grövre)
kopparledare monterade/lödda på små kretskortsbitar som byggstöd för att få
en värmeavgränsad testplatta ovanför styrelektroniken — det högt monterade NTC-motståndet
i bilden vänster. Tillsammans med en Assistent
(krokodilklämmor på tungt stativ) kan en vanlig digital ugnstermometer
(svarta spetskroppen övre vänster) placeras intill termistorn för att få ett
ungefärligt samtidigt temperaturvärde. Foto: 27Feb2016 Termo3T--6 |
Testerna här är utförda med ett (nytt) 9V-batteri som
strömkälla till komponenterna i kopplingsschemat ovan.
Vilka UZ-värden
(aktuell R1-matning) med givet Uz=5V6 (Zenerdiod ElectroKit 2016) som ges från
vilka Uin-värden (strömkällans DC-matning bakom) redovisas grovt i tabell i
vinjetten till ÖSBdiod. Med Uin=9V ges UZ ca 5V5.
KURVLINJERNA ÄR HÖGST GROVT SKISSERADE ENLIGT ENKLA
VÄRMETEST.
DIAGRAMMETS ORANGEA KURVLINJE FRÅN LUFTVÄRMETEST får en
annan vertikalplacering i den aktuella konstruktionen:
— I ett testfall med kraftdioden 1N4007 (1A/1KV) monterad
mot en TO3-transors höljestopp visades kurvlinjen i formen av ovanstående BLÅ
via R2=357K (25°C) med termotrigg vid 50°C snarare än via lufttestets 485K
(25°C) vid grovt samma uppmätta triggtemperatur (50°C). Temperaturvärdena i de
olika jämförelserna är dock här högst ungefärliga.
Ytterligare test
med två parallellkopplade dioder — en kraftdiod 1N4007 [TO3-kopplad] och en
småsignals switchdiod 1N4148 [TO92-kopplad] — visar att den blå linjen ovan
flyttas upp något (422K 25°C).
Hur monteringen
sker i slutänden, och med/intill vilka material och deras termofysik, avgör
helheten. Bara sluttester kan avgöra.
Se särskilt praktiskt tillämpningsexempel
(Överbelastningsskyddet) i 3T-PBSR.
ÖVERBELASTNINGSSKYDD MED KISELDIODER
ÖVERBELASTNINGSSKYDD MED KISELDIODER
—————————————————————————
ÖVERBELASTNINGSSKYDDET
—————————————————————————
MED ANVÄNDNING AV KISELDIOD
Notera att NTC-komponenter enligt test INTE fungerar i ersättning
av TermoDioden i kopplingsbilden nedan. Se mera utförligt från ÖSBKiselDiodSchema.
Testkoppling:
Kopplingsschema
ÖBS-2Tdiod — Sep2016:
Kopplingsschemat ovan visar testkretsen (höger) med lilla kopplingsdäckets komponentkopplingar.
— Notera att värmetesterna, diagrammet ovan via ren luftströmning, just är av typen grova: Praktisk insättning av en diodkropp nära en värmekomponent kommer (helt säkert) att uppvisa en motsvarande värmekurva förskjuten vertikalt beroende på hur värmefördelningen fungerar i det aktuella praktiska fallet.
ÖVERBELASTNINGSSKYDD MED NTC-MOTSTÅND
ÖVERBELASTNINGSSKYDD MED NTC-MOTSTÅND
—————————————————————————
Bihang till kretsutvecklingarna i NchFB-NPN-TYR
ÖVERBELASTNINGSSKYDDET
—————————————————————————
MED ANVÄNDNING AV TERMISTOR = NTC-motstånd
ZENERDIODEN här (2016) från ElectroKit: Äldre 5V6-zenerdioder
(mina exemplar från runt 2000, typiskt mindre än
ovan med 1 Volt) visar inte samma spänningsvärden vid de lägre
strömmarna; en Zenerdiod ska normalt typiskt ha 1-5mA styrström för att få
fabrikantens Uz.
— Spänningstesten med 9-24V i tabellen ovan i rumstemperatur
(20-25°C) och ett fast 220K- motstånd mot GND.
— Högre Rb sänker termiska triggpunkten (Rb=20K reagerar — lysdioden tänds — på utandningsluft ca
37°C).
Funktion: När NTC-resistansen
avtar med växande temperatur nås strax punkten för T1-basens potentialbarriär,
och T1 börjar leda. Den ledningen kan då användas för att stänga av ett
avgörande strömmatningsblock.
—
Genom att temperaturökningar är strängt accelererande (mot en kropps termiska
tyngdpunkt) — och därmed inte OMEDELBART upphör I
CENTRUM AV EN FYSISK MASSA i ögonblicket då energitillförseln stryps:
tillflödet garanterar en liten tillökning (i tyngdpunkten) innan
temperaturökningen (där) avstannar — kommer hur som helst den termiska
trögheten att garantera säker avstängning en (liten) stund. När temperatur
sjunker under triggränsen, återinträder normal funktion automatiskt.
Kopplingen
med INGEN INDIKERING har testats OK: Förstärkningen i BC517 (typ Darlington,
minst 30.00ggr) är i sig tillräcklig för att aktivera ON-läge hos en
efterföljande NPN-transistor (som i sig kan dra ner en aktiv kraftlinje, typ T2
— den i Strömsäkringen).
—
men den enkla kopplingen har ingen indikering: man får lita till att den
normala ON-indikeringen släcks »som indikering» på (termisk) överlast.
En
mera tillfredsställande lösning kräver indikering, ovan högra kretsbilden.
I testkopplingarna på Lilla
Kopplingsdäcket till Experimentanordningen
har ovanstående »Med INDIKERING» testats genom att koppla
indikeringsresistansen (1K) till Strömsäkringens
T2b;
— Funktionen är den följande —
som vi kan följa, studera och analysera på ett DS-oscilloskop:
Med SMPS-matning 9V — samma komponenter som
i kretsbilden ovan: NTC 220K; RbT1 15K; Ströms.: Cbk 10µ; RbT2 100 — och
belastningsresistans 100Ω;
I
normal rumstemperatur (20°C): Med ett 220K NTC-motstånd monterat tätt omkring
ett 100-Ohmsmostånd, alla komponenter och värden som ovan i Strömsäkringen, dröjer det Från PowerOn
16,4 sekunder innan temperaturen (IR-sensor-penna,
Clas Ohlson) når (IR-värdet nära 44°C) grovt ca 50°C.
Indikeringen:
—
I det läget (4) triggas T2 i strömsäkringen, och Uut stängs ner — först i 6
sekunder tills temperaturen sjunker under triggränsen och Uut startar upp igen
(5). Och sedan i snabbare takt i ON-läge under ca 2,5 sekunder innan OFF-igen.
Osv.
—
Stängs
inte Uut ner i det läget kommer det inom ytterligare 10 sekunder att börja
lukta bränt — och sedan vet ingen (komponenten »börjar brinna upp» + ..).
—
Sista oscillogrampulsen för Off ovan från tillfället då man blåser på = kyler
det uppvärmda 100-ohmsmotståndet.
—
Indikeringslampan
(här en lagom snygg GUL lysdiod av BarGraph-typ: ELFA38¦1989/90
PLED-YR14E 590nM)
för
överbelastningen skymtar först (2) efter ca 8-10 sekunder. Sedan fortsätter den
att lysa med varierande styrka (tills strömmen
sänks och temperatur sjunker under hållvärdet för indikering [4]):
svagast vid OnÅter, starkast vid Off. OnOff-indikeringen följer som ovan
pulsbilden MaxMin i oscillogrammet.
NTC-motståndens montering:
Foto: 19Mar2016 AutoFuse 13;15
Många,
otaliga, sätt finns — vart och ett särskilt avpassat för sin funktion.
—
Bilden ovan visar ett par sätt — beroende på typ av NTC och typ av värmevärd:
—
Vänster:
Ett mindre 220K NTC-motstånd (ELFA) har skjutits på, över en
100Ω metallfilmsresistans, försetts med en vit krympslag som kan
tjänstgöra som friktionslåsning med påskjutningsverkan för stabilt montage.
Samt i änden ett par KontaktHylsor
i brytbar stiftlist (ElectroKit) som i sig
har tennlötts i ändarna med en separat finare flexibel tunn servicekabel (Kjell&Company) — Denna i sin ände med tennade
ändar som skjutits in i (nämnda) kontakthylsor (brytbar
kontakthylsstiftlist, ElectroKit) anpassade för platsen i
kopplingsdäcket till respektive »TermoEnhet».
—
Höger:
Galant enkelt sätt att montera ett
värmeavkännande NTC-motstånd över en fristående PowerMOSFET TO-220-kapsel:
NTC-benen (isolerade mot transistorn — använd
isoleringen från vanlig Ø0,5mM kopplingstråd som skalas av) kan klämmas
ihop för påskjutningen och därmed ge extra friktionslåsande fjäderkraft åt den
rent mekaniska åtsmitningen: tämligen säker fasthållning.
Central för Överbelastningsskydd
Utkast
Med testprincipen ovan kan nu (tämligen
enkelt) flera »TermoEnheter» kopplas upp som kan användas på godtyckliga
ställen i efterföljande testkretsar
— särskilt för ändamålet att
skydda komponenter vid typiskt känsliga och kritiska test av, speciellt,
diskret uppbyggda spänningsregulatorer (höga teststötströmmar).
Praktisk ElektroMekanik — Elektroniska
säkringar
Begreppen KOPPLING och
KRETS
Se
även illustrerad förklaring i Registret — Kopplingsschema
och Kretsschema
KRETSSCHEMA:
— Om inte direkt kopparlaminatets etsade kopparledningar (kretskort) som
sammanbinder komponenterna enligt det kopplingsschema som förklarar
komponenternas inbördes elektriska sammanbindningar, så kan ett kretsschema förstås
likvärdigt ekvivalent som en kretskoppling enligt
KOPPLINGSDÄCKETS. KOMPONENTKOPPLINGAR via komponentbenens anslutning
och deras ev. byglingar.
I den engelska litteraturen används (ofta) cirquit
diagram för båda schematyperna (också ofta utan urskillning). Här har den
tvetydigheten helt uteslutits med strävan att enhetligt (om inga missar
missats) klassificera beskrivningen i termer av ett komponentkopplande
förklaringsschema — KOPPLINGSCHEMAT — och anslutningsschemat eller motsvarande
ett kopplingsdäckets praktiskt elektriska anslutningsbild — KRETSSCHEMAT,
associerat med KRETSKORT och de aktuella (oftast frametsade) kopparledningarna.
Det
är ibland lätt att blanda ihop dessa KOPPLING och KRETS (mot varandra). I denna
presentation har dock strävan varit att försöka hålla framställningssättet
konsekvent med ovan nämnda distinktioner.
END.
PRAKTISK ELEKTROMEKANIK — ELEKTRONISKA SÄKRINGAR -- Primärt
färdigställd INNEHÅLLSFÖRTECKNING
10Okt2016
Praktisk ElektroMekanik — Elektroniska
säkringar
innehåll: SÖK äMNESORD på denna sida Ctrl+F · sök ämnesord överallt i SAKREGISTER
sök ämnesord överallt inom ELEKTRONIKEN i separat sakregister för
Praktisk Elektromekanik i sakregister elektroniken
Praktisk ElektroMekanik — Elektroniska
säkringar
ämnesrubriker
innehåll
referenser
[HOP]. HANDBOOK OF PHYSICS, E. U. Condon, McGraw-Hill 1967
Atomviktstabellen i HOP allmän referens i denna presentation, Table 2.1 s9–65—9–86.
mn = 1,0086652u ...................... neutronmassan i atomära massenheter (u) [HOP Table 2.1 s9–65]
me = 0,000548598u .................. elektronmassan i atomära massenheter (u) [HOP Table 10.3 s7–155 för me , Table 1.4 s7–27 för u]
u = 1,66043 t27 KG .............. atomära massenheten [HOP Table 1.4 s7–27, 1967]
u = 1,66033
t27 KG .............. atomära massenheten [ENCARTA 99 Molecular
Weight]
u = 1,66041 t27 KG ............... atomära massenheten [FOCUS MATERIEN 1975 s124sp1mn]
u = 1,66053886 t27 KG ........ atomära massenheten [teknisk kalkylator, lista med konstanter SHARP EL-506W (2005)]
u = 1,6605402 t27 KG .......... atomära massenheten [@INTERNET (2007) sv. Wikipedia]
u = 1,660538782 t27 KG ...... atomära massenheten [från www.sizes.com],
CODATA rekommendation från 2006 med toleransen ±0,000 000 083 t27 KG (Committe on Data for Science and Technology)]
c0 = 2,99792458 T8 M/S ........ ljushastigheten i vakuum [ENCARTA 99 Light, Velocity, (uppmättes i början på 1970-talet)]
h = 6,62559 t34 JS ................. Plancks konstant [HOP s7–155]
e = 1,602 t19 C ...................... elektriska elementarkvantumet, elektronens laddning [FOCUS MATERIEN 1975 s666ö]
e0 = 8,8543 t12 C/VM ............. elektriska konstanten i vakuum [FOCUS MATERIEN 1975 s666ö]
G = 6,67 t11 JM/(KG)² .......... allmänna gravitationskonstanten [FOCUS MATERIEN 1975 s666ö] — G=F(r/m)² → N(M/KG)² = NM²/(KG)² = NM·M/(KG)²=JM/(KG)²
t för 10–, T för 10+, förenklade exponentbeteckningar
PREFIXEN FÖR bråkdelar och potenser av FYSIKALISKA STORHETER
Här används genomgående och konsekvent beteckningarna
förkortning för förenklad potensbeteckning — t för 10^–,
T för 10^+
d deci t1
c centi t2
m milli t3
µ mikro t6
n nano t9
p pico t12
f femto t15
I elektroniken —
kopplingar, scheman — skrivs ofta enbart tusenprefixen K M osv. för de olika
storheterna Resistans i OHM typ 1K, 1M osv. och
Kapacitans i Farad 1µ 1n 1p osv istf.
det mera fullst. resp. 1KΩ, 1MΩ, osv; 1µF, 1nF, 1pF osv.
Alla Enheter anges här i MKSA-systemet [Se International System of Units] (M meter, KG kilo[gram], S sekund, A ampere), alla med stor bokstav, liksom följande successiva tusenprefix:
förkortning för förenklad potensbeteckning — t för 10^–, T för 10^+
K kilo T3
M mega T6
G giga T9
T tera T12
Exempel: Medan många skriver cm för centimeter skrivs här konsekvent cM (centiMeter).
(Toroid Nuclear Electromechanical Dynamics), eller ToroidNukleära Elektromekaniska Dynamiken
är den dynamiskt ekvivalenta resultatbeskrivning som följer av härledningarna i Planckringen h=mnc0rn, analogt Atomkärnans Härledning. Beskrivningen enligt TNED är relaterad, vilket innebär: alla, samtliga, detaljer gör anspråk på att vara fullständigt logiskt förklarbara och begripliga, eller så inte alls. Med TNED får därmed (således) också förstås RELATERAD FYSIK OCH MATEMATIK. Se även uppkomsten av termen TNED [Planckfraktalerna] i ATOMKÄRNANS HÄRLEDNING.
SHORT ENGLISH —
TNED in general is not found @INTERNET except under this domain
(Universe[s]History, introduced @INTERNET 2008VII3).
TNED or Toroid
Nuclear Electromechanical Dynamics is the dynamically (related)
equivalent — resulting description — following the deductions in THE PLANCK RING, analogous AtomNucleus’
Deduction.
— The description according to TNED is related,
meaning: all, each, details claim to be fully logically explainable and
understandable, or not at all. With TNED is (hence) also understood
RELATED PHYSICS AND MATHEMATICS. See also the emergence of the term TNED in AtomNucleus’
Deduction.
Senast uppdaterade version: 2023-05-19
*END.
Stavningskontrollerat 2014-01-27 | 2016-10-14.
*
åter till portalsidan ·
portalsidan är www.UniversumsHistoria.se
∫ ∫ Δ √ ω π τ ε ħ
UNICODE — ofta använda tecken i
matematiska-tekniska-naturvetenskapliga beskrivningar
σ
ρ ν ν π τ γ λ η ≠ √ ħ
ω →∞ ≡
Ω
Φ Ψ Σ Π Ξ Λ Θ Δ
α
β γ δ ε λ θ κ π ρ τ φ
ϕ σ ω ϖ ∏ √ ∑ ∂ ∆ ∫
≤ ≈ ≥ ˂ ˃ ← ↑ → ∞ ↓
ϑ
ζ ξ
Pilsymboler, direkt via tangentbordet:
Alt+24
↑; Alt+25 ↓; Alt+26 →; Alt+27 ←; Alt+22 ▬
Alt+23
↨ — även Alt+18 ↕; Alt+29 ↔
☺☻♥♦♣♠•◘○◙♂♀♪♫☼►◄↕‼¶§▬↨↑↓
→←∟↔▲▼
!”#$%&’()*+,
■²³¹·¨°¸÷§¶¾‗±
åter till portalsidan ·
portalsidan är www.UniversumsHistoria.se